查薇
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究被引量：10
- 2012年
- 高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作.针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应,建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)特性退化的物理过程与模型.器件仿真结果中nMOSFET的输出特性曲线显示栅极注入HPM引起器件特性退化,包括阈值电压正向漂移、饱和电流减小、跨导减小等;结合物理模型分析可知,HPM引起的高频脉冲电压使器件进入深耗尽状态,热载流子数目增多,热载流子效应导致器件特性退化.MOS器件的HPM注入实验结果显示,器件特性曲线、器件模型参数变化趋势与仿真结果一致,验证了HPM引起nMOSFET特性退化的物理过程与模型.
- 游海龙蓝建春范菊平贾新章查薇
- 关键词：高功率微波热载流子
- MOS器件的HPM辐照效应研究
- 为给研究军用模拟IC抗HPM设计技术奠定基础,开展了MOS器件的HPM响应研究。本课题以某研究所典型军用MOS器件0001和0002为对象,采用直接注入法进行实验,研究其在HPM作用下的失效模式和失效机理,建立失效模型,...
- 查薇
- 关键词：高功率微波场效应晶体管辐照效应
- 文献传递
