林巧明
- 作品数：8 被引量：27H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金北京市教委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究被引量：12
- 2007年
- 通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀也是影响器件峰值波长的一个因素,并计算得到去除极化影响后量子阱中的场强,验证了在电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀的结论。
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- 关键词：GAN发光二极管峰值波长热效应极化
- 两基色、三基色和荧光粉转换白光LED配色研究被引量：7
- 2008年
- 根据色度学基本原理,对荧光粉转换白光发光二极管(LED)和两基色、三基色白光LED进行了配色计算,得到了距离理想白光点色度坐标(1/3,1/3)小于0.5%范围内的众多基色组合,同时对光视效能、显色指数和荧光粉转换效率等参数进行了分析,提出了荧光粉转换白光LED和两基色、三基色白光LED的最佳基色组合,并在实验上对荧光粉转换白光LED进行了验证。
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- 关键词：白色发光二极管基色显色指数光视效能
- 亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响
- 2007年
- 采用亲疏水两种不同的处理方法,在氮气保护、600℃热处理1h条件下,成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合,两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发,研究了两种处理方法对于界面透光性的影响,对键合样品进行了可见光透射谱测试,实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率,并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试,实验结果与透射谱测试结果一致.
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- 关键词：键合透过率
- GaN基双波长发光二极管电致发光谱特性研究被引量：3
- 2007年
- 通过同时调节同一有源区内不同阱层和垒层的In组分,制备了GaN基单有源区蓝、绿光双波长发光二极管(LED).实现了20mA下蓝、绿光同时发射.实验发现随注入电流由10mA增大到60mA,电致发光(EL)谱中绿光峰强度相对于蓝光峰强度不断增强,峰值波长蓝移也更加明显.同时考虑极化效应和载流子不均匀分布的影响,通过对一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程的联立自洽求解.分析了测试电流下蓝、绿光EL谱峰值波长和功率的变化情况.发现理论结果与实验结果有很好地符合.
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- 关键词：极化双波长
- p-InGaN与Ni/Au的欧姆接触特性研究
- 2008年
- 通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN层的厚度小于某一特定值时,其比接触电阻低于p-GaN与Ni/Au的欧姆比接触电阻,通过分析认为这是由InGaN层的极化效应导致接触势垒降低和载流子隧穿几率增大造成的,但同时受样品表面形貌和InN本身固有的积累电子层的特性影响,当InGaN层的厚度超过这一特定值后其接触特性反而比p-GaN差。
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- 关键词：铟镓氮欧姆接触极化
- GaN基发光二极管器件研制及其性能的研究
- 以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料为直接带隙材料，在光电领域有着广阔的应用前景，如用来制作发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)等。随着研究的深入和应用范围的扩展，以前在LED器件和应用产品设计过程中被忽视的问题...
- 林巧明
- 关键词：发光二极管发光效率隧道结电学特性光学性能
- 文献传递
- InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长被引量：5
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED)。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍。通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比。研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响。此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化。
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- 关键词：MOCVD
- 基于镓氮/蓝宝石透明衬底发光二极管结构及制备方法
- 本发明公开了一种基于镓氮/蓝宝石透明衬底发光二极管结构及制备方法，该二极管包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极(7)、n型载流子限制层(5)、有源区(4)、p型载流子限制层(3)：在p型载流子限制层(3)的下面依次包括隧...
- 郭霞梁庭郭晶顾晓玲林巧明沈光地
- 文献传递
