顾晓玲
- 作品数：20 被引量：67H指数：6
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- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响
- 2008年
- 通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器件正向压降的变化趋势,发现理论结果与实验结果有很好的吻合.同时得到了获得最低正向压降的表面InGaN厚度.
- 顾晓玲郭霞吴迪李一博沈光地
- 关键词：极化
- GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究被引量：12
- 2007年
- 通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀也是影响器件峰值波长的一个因素,并计算得到去除极化影响后量子阱中的场强,验证了在电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀的结论。
- 林巧明郭霞顾晓玲梁庭郭晶沈光地
- 关键词：GAN发光二极管峰值波长热效应极化
- 两基色、三基色和荧光粉转换白光LED配色研究被引量：7
- 2008年
- 根据色度学基本原理,对荧光粉转换白光发光二极管(LED)和两基色、三基色白光LED进行了配色计算,得到了距离理想白光点色度坐标(1/3,1/3)小于0.5%范围内的众多基色组合,同时对光视效能、显色指数和荧光粉转换效率等参数进行了分析,提出了荧光粉转换白光LED和两基色、三基色白光LED的最佳基色组合,并在实验上对荧光粉转换白光LED进行了验证。
- 顾晓玲郭霞林巧明梁庭郭晶沈光地
- 关键词：白色发光二极管基色显色指数光视效能
- 大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究被引量：10
- 2008年
- 定性分析了GaN基LED的电流扩展效应,发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此,对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构,以减缓电流拥挤效应,降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布,发现具有优化的环形插指电极结构的GaN基大功率LED表面温度分布比较均匀,证明芯片接触处电流扩展均匀,局部电流密度降低,减小了焦耳热的产生,增强了器件的可靠性.
- 沈光地张剑铭邹德恕徐晨顾晓玲
- 关键词：氮化镓发光二极管电流扩展
- 亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响
- 2007年
- 采用亲疏水两种不同的处理方法,在氮气保护、600℃热处理1h条件下,成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合,两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发,研究了两种处理方法对于界面透光性的影响,对键合样品进行了可见光透射谱测试,实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率,并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试,实验结果与透射谱测试结果一致.
- 郭晶郭霞梁庭顾晓玲林巧明沈光地
- 关键词：键合透过率
- 一种便携式胎儿心电监护仪
- 本发明提出了一种便携式胎儿心电监护仪，包括导联、信号调理电路和核心处理芯片，还包括无线发射芯片相连、无线接收芯片和无线USB芯片，核心处理芯片与无线发射芯片相连，无线接收芯片通过无线USB芯片与PC机相连，核心处理芯片将...
- 曾孝平李国军肖兰顾晓玲张舒婷郝晓杰刘乃乾
- 文献传递
- p-InGaN与Ni/Au的欧姆接触特性研究
- 2008年
- 通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN层的厚度小于某一特定值时,其比接触电阻低于p-GaN与Ni/Au的欧姆比接触电阻,通过分析认为这是由InGaN层的极化效应导致接触势垒降低和载流子隧穿几率增大造成的,但同时受样品表面形貌和InN本身固有的积累电子层的特性影响,当InGaN层的厚度超过这一特定值后其接触特性反而比p-GaN差。
- 林巧明郭霞梁庭顾晓玲郭晶沈光地
- 关键词：铟镓氮欧姆接触极化
- GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响
- 2006年
- GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相差8%,验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展,减少器件串联电阻,减少了焦耳热的产生,提高了LED电光特性和可靠性。
- 孙重清邹德恕顾晓玲张剑铭董立闽宋颖娉郭霞高国沈光地
- 关键词：光电子学固态照明电流扩展
- 二步光刻法制作GaN基LED的制备方法
- 一种二步光刻法制作GaN基LED的制备方法，属于光电子器件制造技术领域。传统方法的GaN基LED制作一般共用到了六步光刻，浪费电极材料和化学试剂，提高了工时和设备损耗。本发明提出了LED的两步光刻制作法，即第一次光刻后利...
- 邹德恕顾晓玲沈光地
- 文献传递
- 表面粗化提高红光LED的光提取效率被引量：7
- 2008年
- 介绍了通过出光表面粗糙化来减少全反射的方法,实验中使用化学湿法腐蚀的技术获得预计的粗糙形貌,结果给出不同参数下的光强和光辐射功率比较,器件的外量子效率得到了约29%的提高。从理论和测试结果两方面阐述了表面粗糙化对提高红光LED外量子效率的机理。
- 刘思南邹德恕张剑铭顾晓玲沈光地
- 关键词：表面粗化磷化镓湿法腐蚀
