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李小刚

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇势垒
  • 3篇电流
  • 3篇电流密度
  • 3篇电路
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇数字电路
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 3篇GAN
  • 2篇击穿电压
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇异质结
  • 1篇金属半导体
  • 1篇功率开关
  • 1篇高铝

机构

  • 4篇西安电子科技...

作者

  • 4篇李小刚
  • 3篇张进成
  • 3篇艾姗
  • 3篇王冲
  • 3篇马晓华
  • 3篇郝跃
  • 3篇张琳霞
  • 2篇张宇桐
  • 2篇霍晶
  • 2篇周昊
  • 1篇孟凡娜
  • 1篇鲁明
  • 1篇党李莎
  • 1篇侯耀伟

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高Al组份薄势垒GaN基异质结研究
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在高频大功率器件中应用很有前景，这是因为其具有宽禁带，高的电子迁移率，高的击穿场强，强的极化。为了不断提高HEMT器件的频率，缩小栅长是必要手段，但是当栅长缩小到100nm以下时，常规...
李小刚
关键词：氮化镓电学特性
文献传递
GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲艾姗周昊李小刚霍晶张宇桐
MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型Al...
张进成张琳霞郝跃王冲马晓华孟凡娜侯耀伟党李莎艾姗李小刚鲁明
文献传递
GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲艾姗周昊李小刚霍晶张宇桐
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