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权五云

作品数：4 被引量：5H指数：2
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇致冷
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体致冷
  • 1篇电冲击
  • 1篇电对
  • 1篇粘接
  • 1篇粘接强度
  • 1篇直流
  • 1篇致冷器
  • 1篇制冷器
  • 1篇误差分析
  • 1篇校验仪
  • 1篇金属化
  • 1篇晶体管
  • 1篇互感器
  • 1篇互感器校验
  • 1篇互感器校验仪
  • 1篇功率晶体管
  • 1篇安全工作区
  • 1篇半导体致冷器

机构

  • 4篇哈尔滨工业大...

作者

  • 4篇权五云
  • 3篇刘振茂
  • 3篇张国威
  • 2篇赵秀平
  • 1篇刘晓为
  • 1篇李志伟

传媒

  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇黑龙江大学工...

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 2篇1993
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究
1994年
试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统．
刘振茂赵秀平李志伟张国威权五云
关键词：粘接强度半导体
数字检相式互感器校验仪误差分析
1996年
对数字检相式互感器校验仪进行了误差分析，包括取差电阻自身阻值误差和对取差互感器反作用误差、９０°移相误差、异或门检相误差、ＣＬＫ频率误差、平衡彻底世误差、Ｄ／Ａ转换误差、传输系数误差、关门误差及噪声等。通过分析，认为起主要作用的是ＣＬＫ频率和异或门检相带来的误差，在最佳ＣＬＫ频率，两项之和近达±１％ＦＳ。最后，整机误差综合后误差略超±１％ＦＳ，与实测结果相符。
张松波权五云
关键词：互感器校验仪
镍锡金属化半导体致冷器的电冲击试验研究被引量：2
1993年
报导了采用电冲击方法,试验比较了镍锡金属化层和普通锑铋合金金属化层用于半导体致冷器制造时产生的性能上的差别.试验结果表明,镍锡金属化层提高了致冷器的电性能和耐电、热冲击性能。
张国威赵秀平李志伟权五云刘振茂
关键词：半导体制冷器电冲击
功率晶体管直流安全工作区的描绘方法被引量：3
1993年
本文给出了通过测试器件热阻来描绘其安全工作区的方法,采用该方法确定的安全工作区的二次击穿限比用二次击穿测试仪测得的要低,但能避免器件的损伤和永久性损坏,确定出的安全工作区是安全的.
刘振茂理峰王守琦张国威刘晓为权五云
关键词：功率晶体管安全工作区
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