刘振茂
- 作品数：21 被引量：21H指数：3
- 供职机构：哈尔滨工业大学航天学院更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究
- 1994年
- 试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统．
- 刘振茂赵秀平李志伟张国威权五云
- 关键词：粘接强度半导体
- 多晶硅高温压力传感器被引量：3
- 1990年
- 一、前言 现代航空、汽车发动机以及石油化工领域常常需要对200℃以上高温范围的压力进行检测。200℃以上温度工作的高温压力传感器一般可采用SOS或绝缘衬底上多晶硅结构制作,因为多晶硅薄膜压阻元件可淀积在各种低成本衬底上。
- 刘晓为张国威刘振茂郭青高家昌范茂军段治安崔光浩
- 关键词：多晶硅高温压力传感器
- 在磁场中生长半导体致冷晶体的研究
- 1994年
- 本文阐述了在磁场中生长B_(i2)T_(e3)——Sb_2T_(e3)——SbS_(e3)三元半导体致冷晶体的方法与设备,实验研究了晶体的强度,在理论上初步探讨了磁场在晶体生长中起的作用。
- 赵秀平梁丽新董兴木荣剑英赵洪安刘振茂
- 关键词：磁场半导体晶体生长
- 多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响被引量：1
- 1993年
- 本文研究了LPCVD多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响,通过改变淀积温度和膜厚得到晶体结构不同的薄膜,经硼离子注入掺杂,杂质浓度均为10^(25)/m^3用X 射线衍射法分析了薄膜晶体结构,悬梁实验测出薄膜应变系数GF 随淀积温度和膜厚的变化。理论分析表明,GF 不仅随晶粒度单调增加,而且与织构情况密切相关,不同织构压阻效应大小不同,〈100〉结构对薄膜压阻效应影响很大。理论结果较好地解释了薄膜GF 与淀积温度和膜厚的实验曲线.
- 刘晓为郭青理峰张国威刘振茂
- 关键词：多晶硅压阻效应晶体结构
- 碲化镉新型β-射线探测器的研制
- 1994年
- 本文介绍一种新型的β—射线探测器的制造过程及其特性.采用背吸杂技术有效地降低了器件的反向漏电流并提高了成品率,提出并应用真空镀铜工艺制作P型碲化镉的低阻接触,取得了良好的效果,该探测器由一个PN结二极管构成.在20℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5X10^(-12)A/mm^2,在60℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5×10^(-11)A/mm^(2),因而探测器可在60℃下正常工作.在标准^(85)Krβ—射线源上获得了1.65×10^(-9)A的输出电流。
- 刘振茂张好源张国威理峰
- 关键词：碲化镉探测器
- 封装零部件漏孔检测筛选法及装置
- 用被检零部件和检漏系统构成一个可以充纳气体的腔体，再将此腔体浸没在试验液体(乙醇或水)中，给腔体充以压强为P<Sub>G</Sub>的气体(空气、氮气等)，当P<Sub>G</Sub>大于从漏孔产生气泡的临界压强P<Su...
- 刘振茂张国威刘晓为陈德源
- 硅平面型功率晶体管管芯制造方法
- 在对硅平面型功率晶体管管芯ｃｂ结低击穿、管道击穿、多段击穿、大漏电，以及ｃｅ结穿通等产生原因的研究分析的基础上，提出一种刻蚀沟槽和低温钝化相结合的刻槽硅平面型功率晶体管管芯制造技术。大幅度的提高功率晶体管管芯的合格率和高...
- 刘振茂张国威张鹏俭
- 文献传递
- 硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性
- 1994年
- 本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值，理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度，理论分析与实验结果相符合．通过对影响薄膜电阻率温度特性诸因素的分析讨论，提出了减小多晶硅薄膜电阻温度系数的最佳途径．
- 刘晓为张国威刘振茂理峰
- 关键词：多晶硅电阻率硼掺杂
- 封装零部件漏孔检测筛选法及装置
- 用被检零部件和检漏系统构成一个可以充纳气体的腔体，再将此腔体浸没在试验液体(乙醇或水)中，给腔体充以压强为P<Sub>G</Sub>的气体(空气、氮气等)，当P<Sub>G</Sub>大于从漏孔产生气泡的临界压强P<Su...
- 刘振茂张国威刘晓为陈德源
- 文献传递
- 两步扩散发射区功率晶体管芯片上温度分布及抗二次击穿能力的研究
- 1989年
- 试验研究了采用两步扩散发射区结构的功率晶体管,两步扩散发射区结构在提高芯片上温度分布均匀性和器件抗二次击穿能力方面具有较好的作用.两步扩散发射区器件管芯上的温度分布较一步扩散发射区更为均匀,二次击穿耐量可提高80%以上.
- 刘振茂理峰张国威刘晓为
- 关键词：功率晶体管二次击穿
- 全文增补中
