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成岩

作品数：11 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国科学院战略性先导科技专项国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇存储器
  • 5篇相变
  • 4篇相变材料
  • 4篇相变存储
  • 4篇相变存储器
  • 3篇低温退火
  • 3篇电阻
  • 3篇退火
  • 3篇芯片
  • 3篇键合
  • 3篇键合强度
  • 3篇存储芯片
  • 2篇智能剥离技术
  • 2篇逆相变
  • 2篇晶格
  • 2篇可逆相变
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体工艺
  • 2篇超晶格
  • 2篇超晶格薄膜

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇宋志棠
  • 11篇成岩
  • 5篇刘卫丽
  • 4篇张挺
  • 3篇宋三年
  • 3篇顾怡峰
  • 3篇杜小峰
  • 3篇郑勇辉
  • 3篇刘旭焱
  • 2篇朱敏
  • 1篇吴关平
  • 1篇张中华
  • 1篇蔡道林
  • 1篇任堃
  • 1篇封松林
  • 1篇刘波

传媒

  • 1篇功能材料信息

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片
本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
文献传递
制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法
本发明揭示了一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于具有第一材料基底，基底上方具有多个凹槽，凹槽中填充有至少一种非第一材料。制造上述靶材的步骤如下：在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液...
张挺宋志棠刘波吴关平成岩封松林
文献传递
一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法
本发明提供一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，至少包括：首先提供金属探针，将金属探针的顶端针尖削平形成平台；然后在平台表面制备相变存储器器件，包括下电极层、相变层、以及上电极层；接着在上电极层表面淀积保护层；再...
宋志棠任堃沈佳斌郑勇辉成岩
文献传递
用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr‑Sb‑Te系列相变材料的化学式为Zr<Sub>100‑x‑y</Sub>Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>y</Sub>，其中0&...
宋志棠郑勇辉成岩刘卫丽宋三年朱敏
文献传递
一种神经元器件及神经网络
本发明提供一种神经元器件及神经网络，所述神经元器件包括：下加热电极；相变材料；上电极；以及周围介质材料；其中，所述神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。该神经元器件由正常态转变为兴奋态只...
宋三年宋志棠张中华成岩蔡道林
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用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr-Sb-Te系列相变材料的化学式为Zr<Sub>100-x-y</Sub>Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>y</Sub>，其中0＜...
宋志棠郑勇辉成岩刘卫丽宋三年朱敏
相变存储器及其发展被引量：1
2014年
相变存储器作为一种新型的基于硫系化合物薄膜的随机存储器,被认为最有可能在不远的将来成为主流的非易失性存储器。本文将对相变存储器的基本概念、原理、发展现状及产业化趋势作以介绍。
宋志棠成岩
关键词：相变存储器
相变存储器单元及其制备方法
本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>1‑x</Sub>层和单层化合物Sc<Sub>y</Sub>Te<Sub...
宋志棠丁科元成岩
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三维电阻转换存储芯片制备方法
本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
三维电阻转换存储芯片制备方法
本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
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