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刘旭焱

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇电阻
  • 7篇退火
  • 7篇键合
  • 6篇堆叠
  • 6篇存储器
  • 5篇低温退火
  • 5篇芯片
  • 5篇键合强度
  • 5篇存储芯片
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 3篇存储阵列
  • 2篇等离子体
  • 2篇低温等离子体
  • 2篇电阻率
  • 2篇智能剥离技术
  • 2篇数据类
  • 2篇数据类型
  • 2篇缺陷层
  • 2篇肖特基

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇张挺
  • 11篇宋志棠
  • 11篇刘旭焱
  • 6篇封松林
  • 6篇刘波
  • 5篇刘卫丽
  • 4篇马小波
  • 3篇顾怡峰
  • 3篇杜小峰
  • 3篇成岩
  • 2篇杜小锋
  • 2篇马晓波

年份

  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片
本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
文献传递
三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法
本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺...
张挺马晓波宋志棠刘旭焱刘波封松林
文献传递
三维电阻转换存储芯片制备方法
本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
多层堆叠的存储器及其制造方法
本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特...
张挺宋志棠刘旭焱刘波封松林
文献传递
一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法
本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的...
马小波张挺刘卫丽宋志棠刘旭焱杜小锋
文献传递
多层堆叠电阻转换存储器的制造方法
本发明涉及一种通过键合法实现的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储器的第一圆晶；制造表面有低电阻率重掺杂半导体层的第二圆晶；键合第一圆晶和第二圆晶，通过后续的工艺去除第二圆晶多余...
张挺马小波宋志棠刘旭焱刘波封松林
多层堆叠电阻转换存储器的制造方法
本发明涉及一种通过键合法实现的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储器的第一圆晶；制造表面有低电阻率重掺杂半导体层的第二圆晶；键合第一圆晶和第二圆晶，通过后续的工艺去除第二圆晶多余...
张挺马小波宋志棠刘旭焱刘波封松林
文献传递
多层堆叠的存储器及其制造方法
本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特...
张挺宋志棠刘旭焱刘波封松林
一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法
本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的...
马小波张挺刘卫丽宋志棠刘旭焱杜小锋
三维电阻转换存储芯片制备方法
本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
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