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郑勇辉

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇相变存储
  • 4篇相变存储器
  • 4篇存储器
  • 3篇相变
  • 2篇逆相变
  • 2篇相变材料
  • 2篇可逆相变
  • 2篇沉积态
  • 1篇电镜
  • 1篇电脉冲
  • 1篇电学
  • 1篇电学测试
  • 1篇淀积
  • 1篇射电
  • 1篇透射电镜
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲宽度
  • 1篇脉冲作用
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇华东师范大学

作者

  • 4篇郑勇辉
  • 3篇宋志棠
  • 3篇成岩
  • 2篇宋三年
  • 2篇朱敏
  • 2篇刘卫丽
  • 1篇刘成
  • 1篇任堃

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法
本发明提供一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，至少包括：首先提供金属探针，将金属探针的顶端针尖削平形成平台；然后在平台表面制备相变存储器器件，包括下电极层、相变层、以及上电极层；接着在上电极层表面淀积保护层；再...
宋志棠任堃沈佳斌郑勇辉成岩
文献传递
相变存储器多值存储的微观结构研究
2022年
相变存储器(PCRAM)由于高速、高密度、低功耗及可持续微缩等优点,成为新型半导体存储器的研究热点。本文采用磁控溅射的方法和标准半导体工艺制备了Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)基PCRAM器件,通过不同电压脉冲宽度的电阻-电压(R-V)测试发现该器件具有多值存储特性。采用透射电子显微镜(TEM)分析了不同阻值状态的微观结构,发现伴随着PCRAM器件电阻值的降低,GST材料层由底电极处开始晶化,并最终延伸至上电极,完成非晶态(a-phase)向晶态的结构转变。结果表明,PCRAM器件的多阻态来源于晶态(非晶态)区域的体积占比不同。
刘成赵进辛天骄郑勇辉郑勇辉成岩
关键词：相变存储器GST
用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr‑Sb‑Te系列相变材料的化学式为Zr<Sub>100‑x‑y</Sub>Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>y</Sub>，其中0&...
宋志棠郑勇辉成岩刘卫丽宋三年朱敏
文献传递
用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法，所述Zr-Sb-Te系列相变材料的化学式为Zr<Sub>100-x-y</Sub>Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>y</Sub>，其中0＜...
宋志棠郑勇辉成岩刘卫丽宋三年朱敏
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