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张林

作品数：115 被引量：109H指数：6
供职机构：长安大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 63篇专利
  • 35篇期刊文章
  • 11篇学位论文
  • 6篇会议论文

领域

  • 41篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇理学
  • 3篇经济管理
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇天文地球
  • 2篇电气工程
  • 2篇核科学技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 48篇碳化硅
  • 32篇肖特基
  • 30篇欧姆接触
  • 16篇能量转换
  • 16篇能量转换效率
  • 16篇接触电极
  • 15篇封装
  • 15篇封装密度
  • 14篇欧姆接触电极
  • 14篇肖特基接触
  • 13篇掺杂
  • 12篇电池
  • 12篇二极管
  • 10篇晶体管
  • 9篇势垒
  • 9篇功率
  • 9篇核电池
  • 8篇异质结
  • 8篇漂移
  • 8篇缓冲层

机构

  • 87篇长安大学
  • 35篇西安电子科技...
  • 2篇教育部
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇北京大学
  • 1篇西安理工大学
  • 1篇武警工程学院
  • 1篇西安武警工程...
  • 1篇中国建筑一局...

作者

  • 115篇张林
  • 27篇谷文萍
  • 22篇邱彦章
  • 18篇张赞
  • 17篇徐小波
  • 15篇张义门
  • 14篇李清华
  • 13篇张玉明
  • 10篇高恬溪
  • 9篇巨永锋
  • 9篇李演明
  • 8篇全思
  • 8篇程鸿亮
  • 7篇王晓艳
  • 5篇闫茂德
  • 5篇肖剑
  • 5篇张莎莎
  • 5篇高云霞
  • 5篇戴志仁
  • 5篇文常保

传媒

  • 7篇微电子学
  • 5篇半导体技术
  • 5篇物理学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇电子学报
  • 2篇现代电子技术
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇无线电通信技...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微波学报
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇消防科学与技...
  • 1篇电子设计工程
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 9篇2018
  • 14篇2017
  • 21篇2016
  • 6篇2015
  • 8篇2014
  • 9篇2013
  • 4篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2003
共 115 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
微型核电池制作方法
本发明公开了一种微型核电池，主要解决制作核电池易于SiC工艺实现的问题。该微型核电池是在N型高掺杂SiC衬底(1)的上下分别设有低掺杂外延层(2)和欧姆接触电极(3)，其中，低掺杂外延层(2)的上面淀积圆形肖特基接触层(...
张林郭辉张义门韩超张玉明
文献传递
一种Pm-147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法
本发明公开了一种Pm‑147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，N型SiC外延层，在N型SiC外延层上部采用离子注入形成P型SiC...
张林程鸿亮胡笑钏
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Ti／4H-SiCSBD中子辐照效应的研究被引量：1
2013年
采用1MeV的中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的辐照效应进行研究,观察了常温下的退火效应。实验的最高中子剂量为1×l015n/cm2,对应的γ射线累积总剂量为33kGy(Si)。经过1×1014 n/cm2的辐照后,Ti/SiC肖特基接触没有明显退化;剂量达到2.5×1014n/cm2后,观察到势垒高度下降;剂量达到1×1015 n/cm2后,势垒高度从1.00eV下降为0.93eV;经过常温下19h的退火后,势垒高度有所恢复,表明肖特基接触的辐照损伤主要是由电离效应造成的。辐照后,器件的理想因子较辐照前有所上升;器件的正向电流(VF=2V)随着辐照剂量的上升而下降。
邱彦章张林
关键词：碳化硅肖特基势垒二极管中子辐照
n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的研究
本文采用器件仿真软件ISETCAD模拟了采用n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/N+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单,性能优良的优点.
张林张义门张玉明汤晓燕
关键词：SIC欧姆接触多晶硅异质结
文献传递
采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法
本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底和设置在所...
张林谷文萍胡笑钏张赞
电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：1
2015年
采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。辐照后未钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高度随着辐照注量的增加而降低。几种结构HEMT器件的辐照结果表明,电子辐照后只有未钝化器件的特性有所退化,随着辐照注量增加,器件漏电流和跨导下降越明显,而且线性区退化大于饱和区,而阈值电压变化很小。分析表明,HEMT器件参数性能退化的主要原因是栅源和栅漏间隔区辐照感生表面态负电荷的产生。此外实验结果也说明Si N钝化、MOS结构和场板结构都是很好的抗辐照加固的手段。
谷文萍全思张林徐小波刘盼芝杨丽媛
关键词：GAN电子辐照表面态辐照加固
N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法
本发明公开了一种N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和...
张林张赞高恬溪朱玮
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P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法
本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和...
张林张赞朱玮高恬溪
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碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法
本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，N型SiC外延层...
张林李清华邱彦章巨永锋
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双层衬砌特殊类圆形断面矿山法隧道结构及其施工方法
本发明公开了一种双层衬砌特殊类圆形断面矿山法隧道结构及其施工方法，目的在于，通过类圆形断面与二次衬砌、三次衬砌的双层衬砌构造型式，以及二次衬砌达到强度要求后再拆除内部临时型钢支撑的工序要求，保证了隧道施工过程中变形可控与...
张莎莎戴志仁张林周强常春普
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