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谷文萍

作品数：49 被引量：38H指数：3
供职机构：长安大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇文化科学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 11篇碳化硅
  • 9篇放射源
  • 8篇势垒
  • 8篇ALGAN/...
  • 7篇电阻
  • 7篇欧姆接触
  • 7篇ALGAN/...
  • 7篇掺杂
  • 6篇能量转换
  • 6篇能量转换效率
  • 6篇反相器
  • 6篇方块电阻
  • 6篇封装
  • 6篇封装密度
  • 5篇晶体管
  • 5篇功率
  • 5篇HEMT器件
  • 5篇表面态
  • 4篇电池
  • 4篇电子浓度

机构

  • 42篇长安大学
  • 14篇西安电子科技...
  • 3篇西安理工大学
  • 2篇西安建筑科技...
  • 1篇西北有色金属...
  • 1篇教育部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 49篇谷文萍
  • 27篇张林
  • 15篇徐小波
  • 15篇张赞
  • 13篇郝跃
  • 11篇全思
  • 8篇文常保
  • 6篇刘盼芝
  • 6篇李演明
  • 6篇张进城
  • 5篇李清华
  • 4篇闫茂德
  • 4篇马晓华
  • 3篇邱彦章
  • 3篇肖剑
  • 3篇巨永锋
  • 3篇张瑞
  • 3篇高云霞
  • 3篇杨鑫
  • 3篇谢元斌

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 4篇物理学报
  • 4篇微电子学
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇电子学报
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇电子测量与仪...
  • 1篇电子器件
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 16篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2009
  • 4篇2008
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法
本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底和设置在所...
张林谷文萍胡笑钏张赞
电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：1
2015年
采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。辐照后未钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高度随着辐照注量的增加而降低。几种结构HEMT器件的辐照结果表明,电子辐照后只有未钝化器件的特性有所退化,随着辐照注量增加,器件漏电流和跨导下降越明显,而且线性区退化大于饱和区,而阈值电压变化很小。分析表明,HEMT器件参数性能退化的主要原因是栅源和栅漏间隔区辐照感生表面态负电荷的产生。此外实验结果也说明Si N钝化、MOS结构和场板结构都是很好的抗辐照加固的手段。
谷文萍全思张林徐小波刘盼芝杨丽媛
关键词：GAN电子辐照表面态辐照加固
GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法
本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道...
全思徐小波张林谷文萍文常保闫茂德郝跃
文献传递
一种用于能量收集的最大功率跟踪控制系统
本发明提供了一种用于能量收集的最大功率跟踪控制系统，包括依次连接的放大与补偿电路、开关管控制逻辑及驱动电路、开关电源变换器拓扑电路和输出电压反馈电路，还包括依次连接的最大功率跟踪控制时序产生电路、最大功率跟踪控制采样保持...
李演明陈忠会罗阳文常保张赞谷文萍
文献传递
双极模式SiCJFET功率特性的研究被引量：3
2011年
研究了常关型SiC双极模式结型场效应晶体管(BJFET)的工作机理并建立了数值模型.仿真结果表明SiCBJFET的双极工作模式可以有效的降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性而不增加工艺难度.仿真结果还表明SiCBJFET的双极工作模式会延长器件的开关时间.
张林杨霏肖剑谷文萍邱彦章
关键词：碳化硅双极型结型场效应晶体管
一种太阳能电池参数提取的方法
本发明提供了一种太阳能电池参数提取的方法，包含以下步骤：1)根据基尔霍夫电流定律得到理想的单二极管太阳能电池等效电路的电流电压特性方程，建立太阳能电池单二极管模型；2)利用半导体测试仪测出太阳能电池的I～V曲线，并结合单...
谷文萍张林徐小波周晏萱胡笑钏
文献传递
GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法
本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子...
全思谷文萍李演明文常保谢元斌巨永锋郝跃
文献传递
一种基于光强变化的太阳电池参数提取方法
2019年
通过考虑不同光强下电池开路和短路时候的J-V曲线,并对测量值开展参数提取。采用两种不同的拟合方法来提取串并联电阻、二极管理想因子n以及反向饱和电流密度J0,并利用拟合曲线与实验数据对比及理论与实验Voc的值对比分析,结果表明:所给出提取参数方法的可行性和正确性;以及方法1确定的二极管参数获得的理论值Voc与实验值具有大的偏差,而理论计算的性能参数使用方法2,其开路电压Voc与相应的实验性能参数能够很好地匹配。
李瑞雪徐小波谷文萍
Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述被引量：1
2016年
Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和Si Ge电路仿真器中的应用.具体为:(1)综述了Si三极管中的基本模型及在SPICE中处理过程,然后针对SPICE的缺陷,描述了VBIC模型中针对Early效应的改进.(2)由于SPICE和VBIC不能有效描述SiGe HBT中基区Ge组分引入.本文基于SiGe HBT标准化模型Mextram、HICUM对SiGe HBT的建模思想,综述了将其用于建立Early电压模型的方法.(3)总结了现有主流模型对Early效应的建模方法及优缺点.
徐小波张林王晓艳谷文萍胡辉勇葛建华
关键词：三极管SPICE
一种自适应的恒虚警率目标检测方法
本发明涉及一种自适应的恒虚警率目标检测方法，包括以下步骤：1)：将雷达接收到的数据传入匹配滤波器中；2)：将匹配滤波器输出的信号传入平方律检波器中进行处理；3)：最后将平方律检波器中输出的信号传入CFAR检测器进行处理，...
刘盼芝巫春玲谷文萍惠萌黄鹤王会峰
全选 清除 导出
共5页<12345>
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