张政
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：化学工程理学电子电信更多>>
- SiC单晶体放射状裂纹缺陷研究
- 2020年
- 在采用物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)单晶的过程中,放射状裂纹是常见的缺陷。使用微分干涉显微镜对SiC单晶体和晶体抛光片表面形貌进行观测,结合晶体突变光滑面生长模型,对PVT法生长的SiC单晶放射状裂纹缺陷的形成机理进行了研究,并提出了消除或抑制放射状裂纹缺陷产生的方法。研究结果表明,放射状裂纹的出现与PVT生长过程中晶体微管密度紧密相关。在晶体生长初期,晶体生长平台平铺至尺寸较大的微管后形成微裂纹,这些微裂纹会随着晶体生长中的应力释放而沿晶体径向增殖、汇聚,最终与径向上的其他微裂纹连接成宏观放射状裂纹。通过提高SiC籽晶质量(低微管密度)、优化生长工艺参数可有效抑制放射状裂纹的产生。
- 张皓张政孙科伟陈建丽孟大磊郭森窦瑛
- 关键词：微管
- 低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长技术研究
- 2016年
- β-Ga_2O_3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga_2O_3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga_2O_3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga_2O_3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长方法。
- 张颖武练小正张政程红娟
- 关键词：宽带隙单晶
- PVT法碳化硅晶体生长热应力分析被引量：2
- 2020年
- 基于有限元数值计算方法,对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体过程中籽晶托、坩埚侧壁、轴向温度梯度三个因素导致的热应力进行分析.研究结果表明:籽晶托与晶体之间的热失配所引起的热应力最大区域位于二者连接部位且靠近晶锭侧边缘,且与籽晶托厚度成正相关;坩埚壁与晶体之间热失配产生的热应力集中区域位于晶锭侧面,也与坩埚壁厚度成正相关;轴向温度梯度产生的热应力取值与轴向温度梯度取值正相关,存在一温度梯度取值,使得切应力分量低于位错形成的临界剪切应力限σ_(crs).根据研究结果,优化籽晶托及坩埚结构和热场,抑制了晶体开裂现象,并大幅降低了所制备SiC晶体的位错密度.
- 孟大磊李璐杰张政
- 关键词：碳化硅单晶热应力有限元
