陈建丽
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学更多>>
- SiC单晶体放射状裂纹缺陷研究
- 2020年
- 在采用物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)单晶的过程中,放射状裂纹是常见的缺陷。使用微分干涉显微镜对SiC单晶体和晶体抛光片表面形貌进行观测,结合晶体突变光滑面生长模型,对PVT法生长的SiC单晶放射状裂纹缺陷的形成机理进行了研究,并提出了消除或抑制放射状裂纹缺陷产生的方法。研究结果表明,放射状裂纹的出现与PVT生长过程中晶体微管密度紧密相关。在晶体生长初期,晶体生长平台平铺至尺寸较大的微管后形成微裂纹,这些微裂纹会随着晶体生长中的应力释放而沿晶体径向增殖、汇聚,最终与径向上的其他微裂纹连接成宏观放射状裂纹。通过提高SiC籽晶质量(低微管密度)、优化生长工艺参数可有效抑制放射状裂纹的产生。
- 张皓张政孙科伟陈建丽孟大磊郭森窦瑛
- 关键词：微管
- MPCVD法同质外延生长单晶金刚石技术概述
- 2015年
- 单晶金刚石具有极其优异的性质,如高热导率、高载流子迁移率和高的击穿电压,是制作高可靠性、高稳定性微波功率器件和探测器的理想材料,金刚石基器件可以应用于高温、高功率、强辐射的恶劣环境中。针对金刚石在电学领域与探测领域的潜在应用价值,发展高品质金刚石单晶生长技术尤为重要,而金刚石应用的首要问题是解决单晶和成本的问题。微波等离子化学气相沉积是实现低成本、大尺寸单晶金刚石生长的有效技术。对于如何提高单晶金刚石的生长速率,如何获得高质量、大尺寸单晶金刚石的问题,本文阐述了国内外微波等离子化学气相沉积法同质外延生长单晶金刚石技术研究方面取得的重要突破,详细介绍了提高MPCVD单晶金刚石沉积速率、金刚石晶片剥离技术、金刚石晶体三维生长扩大尺寸、金刚石单晶"马赛克"生长技术。
- 陈建丽张嵩程红娟徐永宽
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积单晶金刚石
- 晶面取向对同质外延单晶金刚石生长的影响被引量：4
- 2017年
- 利用微波等离子体化学气相沉积法,在天然金刚石的(100)、(110)以及(111)晶面上进行了同质外延生长单晶金刚石的研究,分析了这三个晶面上同质外延生长的特点。结果表明,不同的晶面上金刚石的生长速率和形貌显著不同。(110)晶面生长速率最快,表面由一系列大小不同的四面体组成,(100)晶面次之,呈现出排列规整的生长台阶,而(111)晶面生长速率最低,表面光滑平整,(100)和(111)的这种二维生长表面粗糙度明显小于(110)的一维生长表面,而这些特点与其生长模式密切相关。虽然在(111)晶面生长出了质量理想、表面平整的单晶金刚石,但是与(100)和(110)晶面外延生长的单晶金刚石相比,其质量还是较低。
- 宋修曦马志斌丁康俊陈建丽耿鹏
- 关键词：单晶金刚石化学气相沉积
- 自支撑半绝缘Fe-GaN结构和光学性质研究
- 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,广泛应用于蓝、绿光、激光及电子器件.随着GaN外延及器件水平的提高,以AlGaN/GaN异质结构为基础的高电子迁移率晶体管以大功率、耐高温等优点成为研究热点,而高电子迁移率晶体...
- 陈建丽张嵩程红娟
- 高纯度α-SiC粉料的合成被引量：1
- 2021年
- 为获得高纯半绝缘(HPSI)SiC生长用粉料,采用自蔓延高温合成(SHS)法获得了高纯度α-SiC粉料。在合成小粒径β-SiC粉料基础上,对粉料进行物理破碎,通过二次合成,经高温相转变和再结晶过程得到大粒径α-SiC粉料。利用X射线衍射(XRD)、辉光放电质谱(GDMS)、二次离子质谱(SIMS)、扫描电子显微镜(SEM)和激光粒度仪等测试手段对合成的粉料进行了表征和分析,并对使用该方法合成的SiC粉料进行了单晶生长验证,通过SIMS和非接触式电阻率测试仪等对SiC单晶的杂质浓度、电阻率等参数进行了测试。结果表明,增加破碎工艺环节后合成的α-SiC粉料N杂质浓度小于1.0×10^(16) cm^(-3),但粒径更大(平均值为1 853μm,中位径为1 851μm)、游离C质量分数更低(<0.01%)。采用高纯度α-SiC粉料减少了晶体内包裹物,有助于提高SiC晶体质量。
- 张皓王英民陈建丽孟大磊
