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廖栽宜

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 7篇探测器
  • 6篇电吸收
  • 6篇电吸收调制
  • 6篇电吸收调制器
  • 6篇调制
  • 6篇调制器
  • 4篇单片
  • 4篇单片集成
  • 4篇光探测
  • 4篇光探测器
  • 3篇光电
  • 3篇光逻辑门
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇燕尾槽
  • 2篇氧化硅
  • 2篇载流子
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇探测器材料
  • 2篇欧姆接触

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇廖栽宜
  • 9篇王圩
  • 9篇赵玲娟
  • 7篇张云霄
  • 6篇周帆
  • 5篇潘教青
  • 3篇边静
  • 2篇朱洪亮
  • 1篇朱红亮

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法
一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层；在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；...
张云霄廖栽宜赵玲娟朱洪亮潘教青王圩
文献传递
折射面入光探测器的制作方法
一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤：步骤1：在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构；步骤2：在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触；步骤3：在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构；步骤...
廖栽宜张云霄周帆赵玲娟王圩
文献传递
基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法
一种基于n-InP的单片集成的光逻辑门，包括：一基片；一n型稀释波导层制作于基片之上；一下限制层、多量子阱层、上限制层、盖层和接触层依次制作于n型稀释波导层之上，形成电吸收调制器结构；一N型宽禁带层、P型窄禁带吸收层、P...
张云霄廖栽宜周帆赵玲娟王圩
基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法
一种基于n-InP的单片集成的光逻辑门，包括：一基片；一n型稀释波导层制作于基片之上；一下限制层、多量子阱层、上限制层、盖层和接触层依次制作于n型稀释波导层之上，形成电吸收调制器结构；一N型宽禁带层、P型窄禁带吸收层、P...
张云霄廖栽宜周帆赵玲娟王圩
文献传递
光控电吸收调制器逻辑门的研制
提出并制作了新型的PD～EAM光逻辑门，它有着极高的开关速度潜力并可以方便的用于光通信中的信息处理。我们在实验中证明了它的静态逻辑功能，并进行了622Mbit/s的高频逻辑功能测试，负载电阻为450Ω时，3dB带宽达到2...
廖栽宜赵玲娟潘教青周帆边静王圩
关键词：电吸收调制器单片集成光探测器化合物半导体光通信
文献传递
倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法
一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层；在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；...
张云霄廖栽宜赵玲娟朱洪亮潘教青王圩
文献传递
电吸收调制器和光探测器集成逻辑门器件的研究
电吸收调制器和光探测器器件(PD-EAM)是单片集成的光电光转换模块，它可以灵活的应用于各种光信息处理。它既保留传统光电光的技术成熟的优点;又因为高速电信号在芯片内传播的距离极短，其工作速度可以很高，芯片对外不存在高速电...
廖栽宜
单片集成探测器和电吸收调制器光逻辑门(英文)
2008年
通过在InP基上单片集成光探测器和调制器,制作了三端光逻辑门.在不同的负载电阻下,器件显示了良好的"与"门功能.对芯片进行了622MHz的动态测试;在950Ω负载条件下,只需要约7mW的控制光功率即可获得大于7dB的动态消光比.
廖栽宜潘教青周帆边静朱红亮赵玲娟王圩
关键词：电吸收调制器光探测器单片集成
折射面入光探测器的制作方法
一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤：步骤1：在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构；步骤2：在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触；步骤3：在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构；步骤...
廖栽宜张云霄周帆赵玲娟王圩
文献传递
一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法
2009年
提出一种新颖的方法用于测量电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)各种因素造成的插入损耗.此方法仅需要测量波长相关的光电流(Iph-λ)和光透过功率(P-λ)的数据,通过最小二乘法拟合出结果.理论分析表明此方法较精确,实验表明测试结果与理论拟合结果自洽得很好.
廖栽宜赵玲娟张云霄边静潘教青王圩
关键词：电吸收调制器插入损耗物理学
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