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张云霄

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇探测器
  • 4篇光电
  • 3篇电吸收
  • 3篇电吸收调制
  • 3篇电吸收调制器
  • 3篇调制
  • 3篇调制器
  • 3篇倏逝波
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇燕尾槽
  • 2篇氧化硅
  • 2篇载流子
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇探测器材料
  • 2篇欧姆接触

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇张云霄
  • 8篇王圩
  • 8篇赵玲娟
  • 7篇廖栽宜
  • 4篇朱洪亮
  • 4篇潘教青
  • 4篇周帆
  • 1篇王保军
  • 1篇王鲁峰
  • 1篇梁松
  • 1篇王列松
  • 1篇陈娓兮
  • 1篇陈定波
  • 1篇王桓
  • 1篇边静
  • 1篇孔端花
  • 1篇张伟
  • 1篇孙瑜

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法
一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层；在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；...
张云霄廖栽宜赵玲娟朱洪亮潘教青王圩
文献传递
折射面入光探测器的制作方法
一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤：步骤1：在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构；步骤2：在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触；步骤3：在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构；步骤...
廖栽宜张云霄周帆赵玲娟王圩
文献传递
基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法
一种基于n-InP的单片集成的光逻辑门，包括：一基片；一n型稀释波导层制作于基片之上；一下限制层、多量子阱层、上限制层、盖层和接触层依次制作于n型稀释波导层之上，形成电吸收调制器结构；一N型宽禁带层、P型窄禁带吸收层、P...
张云霄廖栽宜周帆赵玲娟王圩
高效高饱和倏逝波耦合型UTC-PD的研制
本文报道了一种新的倏逝波耦合型单一载流子光电二极管(EC-UTC-PD),并分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计优化了InGaAs/InP倏逝波耦合型单一载流子光电探测器的器件结构,以达到提高响应度的目的。实验...
张云霄廖载宜陈娓兮潘教青朱洪亮赵玲娟王圩
关键词：空间电荷效应光电二极管光电探测器
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基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法
一种基于n-InP的单片集成的光逻辑门，包括：一基片；一n型稀释波导层制作于基片之上；一下限制层、多量子阱层、上限制层、盖层和接触层依次制作于n型稀释波导层之上，形成电吸收调制器结构；一N型宽禁带层、P型窄禁带吸收层、P...
张云霄廖栽宜周帆赵玲娟王圩
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混合光栅型的三段式自脉动DFB激光器(英文)
2008年
制作了1.55μm InGaAsP-InP三段式混合光栅型DFB激光器.观察到了20GHz左右的自脉动信号.讨论了自脉动的产生机制,并且对调相区所起的作用进行了研究.
陈定波朱洪亮梁松王保军王鲁峰孔端花张伟王桓孙瑜张云霄王列松
关键词：自脉动DFB激光器
一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法
2009年
提出一种新颖的方法用于测量电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)各种因素造成的插入损耗.此方法仅需要测量波长相关的光电流(Iph-λ)和光透过功率(P-λ)的数据,通过最小二乘法拟合出结果.理论分析表明此方法较精确,实验表明测试结果与理论拟合结果自洽得很好.
廖栽宜赵玲娟张云霄边静潘教青王圩
关键词：电吸收调制器插入损耗物理学
折射面入光探测器的制作方法
一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤：步骤1：在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构；步骤2：在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触；步骤3：在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构；步骤...
廖栽宜张云霄周帆赵玲娟王圩
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倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法
一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层；在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；...
张云霄廖栽宜赵玲娟朱洪亮潘教青王圩
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