宋李梅
- 作品数：54 被引量：36H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术理学文化科学更多>>
- 高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究被引量：3
- 2012年
- 为了保证在高温条件下,正确使用高频硅PNP晶体管3CG120,文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170～340℃温度范围内序进应力加速寿命试验,发现在170～240℃,240～290℃,以及290～340℃分别具有不同的失效机理,并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。
- 王立新单尼娜夏洋宋李梅韩郑生
- 关键词：高温加速寿命试验PNP
- 100V高压CMOS工艺关键技术的研究(英文)被引量：1
- 2006年
- 提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.在中国科学院微电子研究所0.8μm n阱标准CMOS工艺基础上设计出高低压兼容的100V高压工艺流程,并流片成功.实验结果表明,高压n管和高压p管的关态击穿电压分别为168和-158V,可以在100V高压下安全工作.
- 宋李梅李桦杜寰夏洋韩郑生海潮和
- 关键词：兼容性
- 场发射示器矩阵寻址高压驱动电路的设计研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路,并对其进行了性能仿真,仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0.8μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS工艺,有效提高了驱动电路的集成度,并降低了生产成本。成功研制出用于场发射驱动电路输出端的100 V高低压电平转换电路,实验测得空载情况下电路的上升时间和下降时间分别为35,60 ns,能够满足高压驱动电路的频率要求。
- 宋李梅杜寰夏洋
- 关键词：场发射驱动电路矩阵寻址LDMOS
- 一种超结器件
- 本发明公开了一种超结器件，包括：外延层，外延层中有超结结构，超结结构为交替设置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱，其中，第一掺杂立柱与第二掺杂立柱的掺杂类型不相同；多个表面结构，包括：第一掺杂阱区和设置在第一掺杂阱区内...
- 杨尊松王立新肖超宋李梅孙博韬陆江罗小梦罗家俊
- 文献传递
- RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应(英文)被引量：1
- 2008年
- 研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响.其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征,而其交流工作模式下的辐照响应由截止频率和最高振荡频率表征.实验表明,在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的γ射线辐照,不同尺寸和结构的射频SOI LDMOS晶体管的各项指标均表现出明显退化,并且仅当器件工作在静态模式时LBBC LDMOS才表现出优于BTS LDMOS的抗辐照性能.
- 刘梦新韩郑生毕津顺范雪梅刘刚杜寰宋李梅
- 关键词：部分耗尽SOILDMOS射频
- 一种绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法
- 本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法。包括：集电极结构，包括底部集电极，位于底部集电极上方的P++集电极区和位于P++集电极区上方的N+缓冲层；漂移区，位于N+缓冲层的上方，其中，漂移区中有超结结构，超结结构...
- 胡飞宋李梅韩郑生杜寰
- 文献传递
- LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法被引量：3
- 2009年
- 探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能,证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势。
- 陈蕾宋李梅刘梦新杜寰
- 关键词：击穿现象
- 一种超结器件
- 本发明公开了一种超结器件，所述器件包括：外延层，外延层中有超结结构，超结结构为交替设置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱，其中，第一掺杂立柱与第二掺杂立柱的掺杂类型不相同；多个表面结构，包括：第一掺杂阱区和设置在第一掺...
- 杨尊松王立新肖超宋李梅孙博韬陆江罗小梦罗家俊
- 文献传递
- 1OOV高压pMOS器件研制
- 2006年
- 研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.
- 宋李梅李桦杜寰夏洋韩郑生
- 关键词：高压集成电路LDMOS
- 一种阻抗匹配电路、射频电路及加热设备
- 本发明公开了一种阻抗匹配电路、射频电路及加热设备，涉及电磁波技术领域，阻抗匹配电路包括：容性元件，容性元件用于接收射频信号；可调节电路，可调节电路与容性元件串联连接，可调节电路包括多个可变容性元件和多个可变感性元件，以通...
- 丛密芳任建伟李科宋李梅李永强赵发展
