王立新
- 作品数：105 被引量：101H指数：5
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 功率MOSFET抗辐照技术及应用
- 功率半导体技术是微电子领域一个重要分支，主要研究电能控制与电能变换应用的核心器件。而随着国内航天工程的快速发展，也对航天器电源系统应用的核心功率器件提出了更高的要求。其中功率MOSFET具有输入阻抗高、驱动功耗小、安全工...
- 王立新
- 关键词：功率MOSFET总剂量单粒子
- 一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制备方法
- 本发明涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域，解决了现有技术难以在不牺牲器件电学性能的情况下大幅减少器件转移电容的问题。该器件的导通区包括若干个周期性排列的原胞，每个所述原胞的栅极结构...
- 陈润泽王立新
- 文献传递
- 国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究被引量：6
- 2012年
- 研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应,探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系.实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标,满足在复杂空间电离辐射环境下工作的要求.此外,通过对器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应进行研究,对其他型号星用VDMOS器件工艺和设计的进一步改进,具有参考作用.
- 高博刘刚王立新韩郑生张彦飞王春林温景超
- 关键词：VDMOS总剂量退火
- 基于功率MOS线性高压放大器设计被引量：1
- 2010年
- 为了实现对输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0~5 V时,电路可实现0~50 V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140^+140 V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义。
- 张浩王立新陆江刘肃
- 关键词：功率MOSFET运算放大器功率驱动
- 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究被引量：3
- 2012年
- 对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应能力达到技术指标要求。
- 王立新高博刘刚韩郑生张彦飞宋李梅吴海舟
- 关键词：功率VDMOS器件加速器
- 基于结构函数的功率VDMOS器件热特性分析被引量：3
- 2013年
- 基于结构函数理论,运用改进电学测试法,对同一器件管壳与基板间的不同界面进行研究,发现其积分结构函数曲线发生了分离;通过该分离点确定器件稳态结壳热阻值,获得了器件内部各结构层的热阻分布。比较测试结果与理论值,两者基本一致。该测试方法简单、方便,比传统热阻测试法准确且重复性好。对比了采用不同封装工艺的器件的微分结构函数,观察发现,其峰值位置发生了偏移;进一步的超声波扫描证实了偏移的原因是存在焊料层空洞,提出了相应的改善措施。研究表明,利用结构函数理论分析功率VDMOS器件热特性是一种准确而可靠的方法。
- 董晨曦王立新
- 关键词：结构函数功率器件热阻
- 一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET
- 本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET，包括：衬底101；覆盖在衬底101内的第一结构层102；覆盖在第一结构层102内的第二结构层103；覆盖在第二结构层103内的第三结构层104；位于第三结构层10...
- 丁艳王立新张彦飞孙博韬
- 文献传递
- 一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究
- 为满足新形势下国产器件抗辐射加固技术研究需要,利用"强光一号"加速器上对一种抗核加固功率VDMOS器件在不同剂量率下进行了瞬态γ剂量率辐照实验,研究了器件的瞬时电离辐射响应规律,得到了器件的瞬时电离辐照时的响应波形。实验...
- 高博刘刚王立新韩郑生赵发展宋李梅张彦飞王春林
- 关键词：功率VDMOS器件
- 文献传递
- 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，栅极包括：第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极和衬底之间；第一栅极与第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；第二...
- 孙博韬王立新单尼娜
- 文献传递
- 一种超结MOS晶体管
- 本发明公开了一种超结MOS晶体管，其特征在于，包括：外延层，外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每...
- 孙博韬王立新张彦飞肖超宋李梅丁艳
- 文献传递
