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罗家俊

作品数：485 被引量：102H指数：5
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 408篇专利
  • 62篇期刊文章
  • 15篇会议论文

领域

  • 143篇电子电信
  • 39篇自动化与计算...
  • 12篇电气工程
  • 9篇文化科学
  • 7篇理学
  • 6篇医药卫生
  • 4篇航空宇航科学...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 157篇电路
  • 67篇单粒子
  • 58篇晶体管
  • 53篇集成电路
  • 41篇SOI
  • 34篇瞬态
  • 34篇半导体
  • 32篇脉冲
  • 31篇电压
  • 31篇信号
  • 27篇绝缘体上硅
  • 26篇电流
  • 26篇建模方法
  • 23篇反相器
  • 22篇电阻
  • 22篇隔离区
  • 21篇单粒子翻转
  • 20篇源区
  • 20篇阈值电压
  • 20篇沟道

机构

  • 483篇中国科学院微...
  • 36篇中国科学院
  • 29篇中国科学院大...
  • 4篇辽宁大学
  • 2篇西安理工大学
  • 2篇中国原子能科...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇安徽大学
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇西安航空计算...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国科学院近...
  • 1篇北京中科新微...

作者

  • 485篇罗家俊
  • 345篇韩郑生
  • 150篇卜建辉
  • 137篇曾传滨
  • 135篇刘海南
  • 85篇赵发展
  • 85篇毕津顺
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  • 64篇高林春
  • 60篇李博
  • 56篇蔡小五
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  • 35篇赵海涛
  • 30篇郝乐
  • 26篇闫珍珍
  • 26篇陆江
  • 25篇刘梦新
  • 24篇赵博华

传媒

  • 16篇微电子学与计...
  • 15篇微电子学
  • 13篇半导体技术
  • 6篇太赫兹科学与...
  • 2篇物理学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇宇航学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微处理机
  • 1篇现代显示
  • 1篇航空科学技术
  • 1篇电子设计工程
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 10篇2024
  • 26篇2023
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  • 61篇2021
  • 49篇2020
  • 53篇2019
  • 37篇2018
  • 33篇2017
  • 18篇2016
  • 34篇2015
  • 27篇2014
  • 25篇2013
  • 38篇2012
  • 14篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇1998
共 485 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶体管、钳位电路及集成电路
本发明公开了一种晶体管、钳位电路及集成电路，所述晶体管包括：衬底、位于所述衬底上的氧化物层、位于所述氧化物层上的硅层；所述硅层上设置有源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区，其中，所述源区和所述漏区均为第一掺杂类型的...
蔡小五罗家俊刘海南曾传滨卜建辉陆江赵海涛
抗辐照加固的SOI结构及其制作方法
抗辐照加固的SOI结构及其制作方法。一种SOI结构抗辐照的制作方法，该方法包括以下步骤：提供两个晶片，在至少一个所述晶片的表面形成绝缘氧化层后；对所述绝缘氧化层进行辐照质子、中子等注入，在绝缘氧化层中引入位移损伤；将两个...
吕荫学毕津顺罗家俊韩郑生叶甜春
文献传递
一种SOI_MOSFET的热阻提取方法
本发明提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：设计一种器件，所述器件的栅结构的两端都引出连线；在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；在常温下，使所述器件处于工作状态，测试...
卜建辉李莹毕津顺李书振罗家俊韩郑生
文献传递
双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构
本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在P衬底内设置有第一N型掺杂区、P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一N型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，且，第二N型重掺杂区位于第一...
蔡小五曾传滨赵海涛刘海南卜建辉陆江罗家俊
文献传递
一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管
本申请提供的一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：集电极、发射极，栅极，所述栅极的底部区域形成横向展宽结构；埋栅结构，所述横向展宽结构的下方横向扩展形成所述埋栅结构；其中，所述埋栅结构与发射极电位...
陆江刘海南卜建辉蔡小五罗家俊
文献传递
一种超结器件结构、器件及制备方法
本发明实施例提供了一种超结器件结构、器件及制备方法，其中所述超结器件结构，包括：衬底第一掺杂类型柱区、第二掺杂类型柱区、第一栅极、第二栅极以及第一引流区；所述第一掺杂类型柱区、所述第二掺杂类型柱区均设置在所述衬底上方，所...
王琳王立新宋李梅罗家俊韩郑生
文献传递
一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件
本申请提供的一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，涉及半导体器件领域，包括：N+源极接触，所述N+源极接触为深槽结构；Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell...
陆江刘海南卜建辉蔡小五罗家俊
一种半导体器件统计模型的建模方法及装置
本发明提供了一种半导体器件统计模型的建模方法及装置，所述方法包括：将所述半导体器件统计模型的子模块化分为工艺角模块、全局波动模块及局部波动模；建立所述半导体器件的电路模型；基于预设的排列规则，对所述工艺角模块、所述全局波...
卜建辉李莹赵博华罗家俊韩郑生
文献传递
集成电路测试方法
本发明提供了一种集成电路测试方法，包括设计指标参数确定、电路图输入、前仿真、版图设计、版图验证&寄生参数提取、后仿真、流片，其特征在于，前仿真和后仿真使用晶体管级SPICE网表，该晶体管级SPICE网表能转换为自...
郝乐宿晓慧韩郑生罗家俊
文献传递
一种激光脉冲单粒子效应模拟系统
本发明公开了一种激光脉冲单粒子效应模拟系统，属于集成电路辐射技术领域。该模拟系统包括超快激光脉冲发生系统、测试系统和控制器。该模拟系统利用压电陶瓷旋转台，通过压电陶瓷旋转台的旋转能力实现了激光在被测器件上进行精确扫描，克...
曾传滨高林春毕津顺罗家俊韩郑生
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