您的位置: 专家智库 > >

周松敏

作品数:23 被引量:38H指数:4
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金中国科学院国防科技创新基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 11篇专利

领域

  • 14篇电子电信

主题

  • 11篇碲镉汞
  • 9篇探测器
  • 7篇焦平面
  • 7篇红外
  • 4篇碲镉汞探测器
  • 4篇铟柱
  • 4篇激光
  • 4篇HGCDTE
  • 3篇形貌
  • 3篇显微镜
  • 3篇激光共聚焦
  • 3篇激光共聚焦显...
  • 3篇共聚焦
  • 3篇共聚焦显微镜
  • 3篇光电
  • 3篇红外焦平面
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 2篇电路
  • 2篇电压

机构

  • 23篇中国科学院
  • 8篇中国科学院大...
  • 3篇上海科技大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 23篇周松敏
  • 17篇林春
  • 9篇胡晓宁
  • 7篇刘丹
  • 6篇王溪
  • 5篇丁瑞军
  • 5篇李浩
  • 4篇廖清君
  • 4篇叶振华
  • 4篇魏彦锋
  • 3篇何力
  • 3篇孙常鸿
  • 3篇王晨飞
  • 3篇陈路
  • 3篇陈洪雷
  • 3篇翁彬
  • 3篇华桦
  • 2篇钟艳红
  • 2篇王建新
  • 2篇林加木

传媒

  • 7篇红外与毫米波...
  • 3篇红外与激光工...
  • 1篇红外技术
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进被引量:7
2012年
在液相外延生长(LPE)的碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜(111)方向上蒸发生长碲化镉(CdTe)钝化层。在70~250℃范围内的各个不同的温度环境下进行碲化镉钝化膜的蒸发生长。根据需要,对各样本进行150~300℃各个温度下的后期退火处理。运用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)观测技术表征碲化镉钝化膜的形貌结构、成分分布、晶体质量。结果表明,加热环境下蒸发生长碲化镉钝化膜可以消除常规蒸发生长中的柱状多晶结构,显著提高钝化品质;后期的退火处理还能进一步提高钝化膜质量。
徐竟杰陈兴国周松敏魏彦锋林春杨建荣
关键词:碲化镉碲镉汞钝化二次离子质谱
一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法
本发明公开一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法,该腐蚀液由溴、氢溴酸和乙二醇三种溶液组成。先按比例将氢溴酸溶液倒入乙二醇溶液中,静置5~10分钟,再按比例将溴溶液倒入氢溴酸和乙二醇的混合溶液中,待颜色稳定后,得到碲镉汞材...
樊华廖清君刘丹杨勇斌黄悦周松敏孙常鸿解晓辉胡晓宁
文献传递
一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法
本发明公开一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法。该工艺方法包括:对准、加压及加热三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点,简化了焊点制备工艺,降低了对焊点形貌一致性的要求,同时也克服了...
黄玥白治中周松敏王建新林春叶振华丁瑞军
文献传递
HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法
2017年
报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致.
翁彬周松敏王溪陈奕宇李浩林春
关键词:HGCDTE干法刻蚀
碲镉汞雪崩焦平面器件被引量:5
2019年
碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%.6 V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2.
李浩林春林春郭慧君周松敏陈洪雷王溪陈洪雷魏彦锋陈路
关键词:碲镉汞雪崩光电二极管焦平面
通过成结模拟器研究n^(+)-n^(-)-p碲镉汞高温探测器
2024年
第三代红外探测器发展的一个重要方向是高工作温度探测器。对于碲镉汞n-on-p探测器而言,n^(+)-n^(-)-p结构以及良好的钝化工艺能够有效的抑制暗电流的产生,从而在高工作温度条件下获得较好的探测器性能。基于自行开发的成结模拟器,对n^(+)-n^(-)-p结构地高温器件进行了工艺仿真和器件仿真,获得成结过程的制备参数,并结合抑制表面漏电的组分梯度钝化工艺,将高工作温度下的暗电流抑制至理论极限,研制出可以在更高温度工作下的碲镉汞n-on-p红外焦平面探测器。经测试,中波n-on-p红外焦平面器件在不同工作温度下性能优异,在80 K工作温度下噪声等效温差(NETD)达到了6.1 mK,有效像元率为99.96%;而在150 K工作温度下噪声等效温差(NETD)为11.0 mK,有效像元率为99.50%,达到了同类器件的理论极限。
林加木周松敏王溪甘志凯林春丁瑞军
关键词:碲镉汞红外焦平面
一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法
本发明公开了一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法,该方法是在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上,通过光刻工艺,设计一系列不同间距PN结的离子注入掩膜。离子注入后再通过常规工艺制备钝化层和金属化欧...
周松敏翁彬刘丹林春徐刚毅李浩
文献传递
利用MATLAB进行焦平面探测器的In柱高度自动统计
2014年
In柱制备是红外焦平面器件倒焊互连的关键工艺,In柱高度是评价In柱制备工艺水平的基本指标。通常的In柱高度统计方法为随机采样人工显微镜观测法,此方法由于采样点较少将导致统计结果不全面,另一方面由于In柱表面形貌的微观特性,人工显微镜观测引入的主观偏差将使统计结果不准确。提出了一种更合理可行的In柱高度统计方法,首先使用激光共聚焦显微镜对In柱表面形貌进行扫描,再利用MATLAB软件对扫描数据进行分析以统计In柱高度,分析时考虑In柱表面微观形貌对In柱高度的影响。利用此方法对16×16面阵的红外焦平面器件读出电路进行了In柱高度统计,统计结果优于随机采样人工显微镜观测法。为评价In柱制备工艺水平提供了更客观准确的In柱高度数据。
华桦何凯周松敏胡晓宁
关键词:红外焦平面阵列激光共聚焦显微镜MATLAB
红外光电探测器的前沿热点与变革趋势被引量:15
2022年
红外光电探测技术通常工作在无源被动的传感模式,具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、全天时工作等优点,在航天遥感、军事装备、天文探测等方面都有广泛应用。至今,二代、三代红外光电探测器已大规模进入装备,高端三代也在逐步推进实用化,并出现了前沿前瞻性的新概念、新技术、新器件。本文聚焦国内外的红外技术研究现状,重点介绍红外光电探测器当前的研究热点与未来的发展趋势。首先,介绍针对战术泛在化、战略高性能的SWaP^(3)概念。其次,综述以超高空间分辨率、超高能量分辨率、超高时间分辨率、超高光谱分辨率为特征的高端三代红外光电探测器,分析挑战光强探测能力极限的红外探测器的技术特征与实现方法。然后,论述基于人工微结构的四代红外光电探测器,重点介绍偏振、光谱、相位等多维信息融合的实现途径与技术挑战。最后,从片上数字化升级为片上智能化的角度,探讨未来极具变革性趋势的红外探测器。
叶振华李辉豪王进东陈星孙常鸿廖清君黄爱波李辉周松敏林加木潘建珍王晨飞陈洪雷陈路魏彦锋林春胡晓宁丁瑞军陈建新何力
关键词:红外光电探测器
金属半导体接触的非线性传输线模型及参数的拟合方法
本发明公开了一种金属半导体接触的非线性传输线模型及参数的拟合方法,它涉及到半导体器件结构性能的检测和表征领域,其步骤包括:1.建立非线性传输线模型;2.测量半导体薄膜材料上平行双矩形电极的I-V曲线;3.利用关系式R=d...
何凯陈星李杨张勤耀王建新林春周松敏
文献传递
共3页<123>
聚类工具0