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文献类型

  • 15篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 4篇电气工程

主题

  • 11篇晶闸管
  • 8篇半导体
  • 7篇压装
  • 6篇整流
  • 6篇整流管
  • 6篇脉冲
  • 6篇脉冲功率
  • 6篇开关
  • 6篇半导体器件
  • 5篇触发
  • 3篇电压
  • 3篇夹持
  • 3篇封装
  • 2篇弹簧
  • 2篇底座
  • 2篇堆叠
  • 2篇压板
  • 2篇载流子
  • 2篇整流器
  • 2篇直流

机构

  • 27篇株洲南车时代...
  • 1篇南车株洲电力...

作者

  • 28篇任亚东
  • 23篇颜骥
  • 12篇熊辉
  • 12篇孙文伟
  • 11篇李世平
  • 11篇曾文彬
  • 9篇熊思宇
  • 8篇郭金童
  • 7篇潘学军
  • 5篇陈彦
  • 5篇余伟
  • 4篇唐豹
  • 4篇谢腾飞
  • 4篇田媛
  • 3篇张方毅
  • 2篇刘应
  • 2篇高超
  • 2篇刘栋
  • 2篇万超群
  • 1篇雷云

传媒

  • 7篇大功率变流技...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇变流技术与电...
  • 1篇第2届全国脉...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 7篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2008
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
IGCT晶片的封装结构设计被引量:8
2015年
IGCT的晶片结构不同于普通的晶闸管及二极管,因此其封装结构需要独特的设计,包括用于绝缘并传递压力的绝缘件、用于施加压力并保持压力稳定的弹性件以及用于组装并与外接口的管座等。这种独特的封装结构设计经过验证及考核,有效提升了IGCT性能,满足其应用要求。
曾文彬颜骥任亚东陈芳林潘学军
关键词:IGCT封装结构绝缘弹簧
UHVDC换流阀晶闸管雪崩特性测试技术被引量:1
2008年
特高压直流输电(UHVDC)用晶闸管的测试和试验除了必须满足常规的项目要求之外,还必须进行一些普通工业应用极少提及的特殊项目,例如雪崩电压特性(长雪崩和短雪崩)测试。文章论述了一种±800kV特高压直流输电用晶闸管的雪崩特性测试及测试台的研制。该设备采用计算机自动控制,数据采集、电压电流波形显示、测试结果记录均由LABVIEW编写的控制程序完成,使用简便、自动化程度高。
李世平任亚东陈彦熊思宇
关键词:晶闸管特高压直流输电
基于半导体开关的100kV脉冲功率系统
2014年
介绍了一种基于脉冲功率晶闸管的100 kV高压脉冲功率系统,详细说明了系统整体设计方案,同时描述了关键电路的设计原理及系统布局时所要注意的关键点。试验证明,该系统可靠性高、实用性强。
孙文伟颜骥任亚东熊辉唐柳生
关键词:晶闸管
固态脉冲功率开关器件并联均流技术研究与应用
半导体开关在全固态脉冲功率技术中,常常以多个器件并联的形式提升开关的通流能力,可有效提高系统功率,其中最关键的是均流技术。文中介绍了基于脉冲功率晶闸管的固态开关并联均流技术及该技术在脉冲功率领域的应用现状,分析了该技术的...
任亚东唐柳生熊思宇龚灿张文浩颜骥李世平
关键词:脉冲功率并联均流固态开关
文献传递
一种半导体器件的压装装置及压装方法
本发明提供一种半导体器件的压装装置,包括顶压组件、多个散热器及两组绝缘支撑板,两组所述绝缘支撑板平行且相对布置,沿绝缘支撑板的长度方向,多个所述散热器水平支撑于两组所述绝缘支撑板之间,位于底层的所述散热器通过紧固件固定于...
曾文彬任亚东颜骥孙文伟窦金龙
文献传递
特高压直流输电用晶闸管dv/dt特性试验研究被引量:5
2013年
特高压直流输电(UHVDC)用晶闸管除需通过常规的特性测试外,还必须多次进行多项特殊项目测试,例如极限性的临界电压上升率(dv/dt)和不同dv/dt下的电压转折关系测试。文章论述了一种测试±660 kV特高压直流输电用晶闸管临界电压上升率特性的测试系统。该系统采用计算机自动控制,其数据采集、波形显示以及结果记录均由Labview编写的控制程序完成,安全可靠。
黄蓉李世平任亚东陈彦熊思宇
关键词:晶闸管特高压直流输电
晶闸管触发与开通特性研究
从载流子的扩散和漂移两个方面分析了晶闸管的开通过程机理,开发设计了结合MOSFET和单片机在内的强触发电路,实现了开通速度快、脉冲宽度和触发电流强度以及触发电流上升率任意可调节等功能。在此基础上,通过实验室搭建晶闸管开通...
张西应任亚东唐柳生卢雪
关键词:晶闸管工作电压开通时间载流子
150mm高压脉冲功率晶闸管的研制与应用被引量:6
2012年
大功率脉冲电源是脉冲电磁发射武器平台的重要组成部分,开关器件是其关键技术。150 mm(6英寸)超大功率脉冲晶闸管的成功研发,满足了超大功率脉冲电源开关器件运行寿命长、可靠性高、体积小、重量轻的发展趋势要求。文章重点研究了浪涌电流下超大功率脉冲晶闸管的特性。
李世平任亚东熊思宇余伟
关键词:脉冲电源电磁发射晶闸管浪涌电流DI/DT
应力-强度干涉模型在功率半导体器件失效分析中的应用被引量:2
2016年
功率半导体器件发生机械应力失效的直接原因是外部应力大于器件自身强度,并间接引发器件上电应力或者热应力过载,最终造成器件损坏。文章结合机械可靠性理论中应力-强度干涉模型,以晶闸管为例对其机械应力失效的物理过程和失效机理进行解释,得出失效分析和可靠性设计的工程计算方法,并结合测试中发生的晶闸管失效案例对该分析计算方法的可行性和有效性进行了验证。
张西应颜骥任亚东
关键词:晶闸管失效模式可靠性
半导体脉冲功率开关的最新进展被引量:19
2012年
简述了脉冲功率开关的发展及国内外脉冲功率晶闸管产品的现状,并详细介绍了国内的脉冲功率开关产品及其特点。阐述了脉冲功率晶闸管组件产品的设计与应用,以及半导体脉冲功率开关的测试试验平台。简要介绍了脉冲功率晶闸管及其组件在工程应用中的同步驱动、感应取能和串联均压等关键技术,并简述了脉冲功率晶闸管组件的工程应用实际效果。阐述了半导体脉冲功率开关及其测试试验平台的发展方向。
任亚东李世平颜骥熊辉熊思宇余伟曾文彬张方毅
关键词:脉冲功率脉冲放电半导体开关
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