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颜骥
作品数:
60
被引量:45
H指数:3
供职机构:
株洲南车时代电气股份有限公司
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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电子电信
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合作作者
任亚东
株洲南车时代电气股份有限公司
熊辉
株洲南车时代电气股份有限公司
孙文伟
株洲南车时代电气股份有限公司
郭金童
株洲南车时代电气股份有限公司
曾文彬
株洲南车时代电气股份有限公司
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作者
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颜骥
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熊辉
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2011
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半导体脉冲功率开关的最新进展
被引量:20
2012年
简述了脉冲功率开关的发展及国内外脉冲功率晶闸管产品的现状,并详细介绍了国内的脉冲功率开关产品及其特点。阐述了脉冲功率晶闸管组件产品的设计与应用,以及半导体脉冲功率开关的测试试验平台。简要介绍了脉冲功率晶闸管及其组件在工程应用中的同步驱动、感应取能和串联均压等关键技术,并简述了脉冲功率晶闸管组件的工程应用实际效果。阐述了半导体脉冲功率开关及其测试试验平台的发展方向。
任亚东
李世平
颜骥
熊辉
熊思宇
余伟
曾文彬
张方毅
关键词:
脉冲功率
脉冲放电
半导体开关
一种半导体器件的压装装置及压装方法
本发明提供一种半导体器件的压装装置,包括顶压组件、多个散热器及两组绝缘支撑板,两组所述绝缘支撑板平行且相对布置,沿绝缘支撑板的长度方向,多个所述散热器水平支撑于两组所述绝缘支撑板之间,位于底层的所述散热器通过紧固件固定于...
曾文彬
任亚东
颜骥
孙文伟
窦金龙
文献传递
一种快恢复二极管的制备方法
本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法,包括如下步骤:1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理;2)进行铝预沉积,在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入,并进行氧化推进工艺,使硅圆片内形成P<Sup>+</...
郭润庆
陈芳林
颜骥
高建宁
蒋谊
彭文华
陈勇民
邱凯兵
文献传递
一种周波浪涌试验装置
本发明公开了一种周波浪涌试验装置,包括时间继电器、第一和第二试验晶闸管、波形记录装置、电阻、变压装置、分流器、第一开关和第二开关,变压装置的输入端通过第二开关连接输入交流电,第一和第二试验晶闸管采取反并联连接,第一试验晶...
彭力湘
颜骥
彭军华
文献传递
直流高压电源、高位取能装置及其供电方法
本发明提供了一种直流高压电源、高位取能装置及其供电方法,包括高压输入端、低压输出端、取能电路、储能电路、锁存电路和节流电路;取能电路包括开关电路和与开关电路连接的控制电路,开关电路包括至少两个串联的开关,控制电路通过控制...
唐柳生
任亚东
颜骥
吴煜东
孙文伟
张西应
石铿
文献传递
应力-强度干涉模型在功率半导体器件失效分析中的应用
被引量:2
2016年
功率半导体器件发生机械应力失效的直接原因是外部应力大于器件自身强度,并间接引发器件上电应力或者热应力过载,最终造成器件损坏。文章结合机械可靠性理论中应力-强度干涉模型,以晶闸管为例对其机械应力失效的物理过程和失效机理进行解释,得出失效分析和可靠性设计的工程计算方法,并结合测试中发生的晶闸管失效案例对该分析计算方法的可行性和有效性进行了验证。
张西应
颜骥
任亚东
关键词:
晶闸管
失效模式
可靠性
GCT门极绝缘座及门极组件
本发明提供了一种GCT门极绝缘座及门极组件,所述绝缘座为单向开口的腔体,所述腔体包括内侧壁、外侧壁和底部,所述外侧壁包括若干个间断的外子侧壁,所述内侧壁的内表面和/或所述外侧壁的至少一个外子侧壁的外表面呈阶梯式结构,即该...
曾文彬
陈彦
潘学军
万超群
张明
颜骥
陈芳林
蒋谊
文献传递
基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构
本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构,它包括芯片、钼片、门极和外壳组件,所述外壳组件包括外壳和电极铜块,所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件,所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明...
李继鲁
方杰
常桂钦
贺新强
曾雄
彭明宇
彭勇殿
颜骥
文献传递
一种硼扩散源双面喷涂装置及方法
本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置,包括:射流器;承载底座,其与射流器的喷射方向相对设置,所述承载底座包括:位于承载底座底部的定位孔,用于固定承载底座;用于定位喷涂样品的定位边缘,用于固定样品;和用于支撑所述喷涂样品的...
刘锐鸣
唐革
操国宏
邹冰艳
颜骥
吴煜东
邹昌
刘芹
王政英
姚震洋
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一种半导体台面及制作方法
本发明公开了一种半导体台面,其中,PN结交界面延伸至该半导体台面的表面,应用于半导体技术领域,该半导体台面包括:由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层;在钝化层上形成的保护层,本发明同时公开了制作该半导...
张弦
陈芳林
颜骥
邱凯兵
高建宁
王政英
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