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Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性: 2005年; 低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级。; 谭春华范广涵李述体周天明黄琨雷勇; 关键词：光电子学 X射线双晶衍射金属有机化学气相沉积光荧光

应变对Al_xGa_(1-x)N能带间隙弯曲系数和能带结构的影响被引量：2: 2005年; 在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构和弯曲系数,并通过对AlxGa1-xN能带间隙的理论结果和实验结果分析比较,得出的能带间隙的弯曲系数与已有文献报道的实验结果相吻合。; 黄琨范广涵谭春华李述体吴文光李华兵雷勇; 关键词：ALXGA1-XN 晶格常数

人工蛋白石光子晶体制备技术及改性研究进展被引量：2: 2005年; 人工蛋白石是一种极有前途的三维光子晶体带隙材料,介绍了二氧化硅人工蛋白石光子晶体在制备方面的研究进展及其改性研究的发展现状。; 谭春华范广涵梁桂琼黄琨雷勇; 关键词：蛋白石三维光子晶体改性研究二氧化硅

功率型白光LED的热特性研究被引量：25: 2006年; 大功率LED照明单元在光通量提高的同时伴随着散热,且普通功率型白光LED多采用蓝光芯片激发荧光粉的方法,随着温度的提升,荧光粉对应的波长会发生漂移。本文从功率型白光LED的发热原理出发,试验了其在脉冲源作用下,用于照明的可能性。试验表明,在此激励源的作用下,LED输出与散热很好,并从理论上进行了解释。; 雷勇范广涵廖常俊刘颂豪李述体黄琨; 关键词：白光LED 光通量散热脉冲源

入射角对Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器反射光谱的影响被引量：3: 2006年; 采用传输矩阵法对Al0.5Ga0.5As-AlAs材料的发光二极管分布布拉格反射器进行入射角的反射光谱研究，计算发现反射偏振光p和s随入射角的增大呈“V”形变化，在49．8°处有最小反射值。不同入射介质[以空气和限制层（Al0.7Ga0.3）0.5In0.3P材料]下的反射光谱受入射角的影响差异很大，其中入射角对空气入射介质的反射谱影响较小，由0°入射的反射率88．13％降至45。的84．94％，反射峰值波长蓝移仅10nm；但入射角对（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P入射介质的反射谱影响很大，仅从0°到45°入射，反射率降幅就超过45％，反射峰值波长蓝移超过127nm。为了减缓这种影响，提出了多波长布拉格反射器结构设计。计算表明多波长分布布拉格反射器在0°～45°的入射角内比传统的分布布拉格反射器有更好的光谱特性，这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。; 郑树文范广涵李述体雷勇黄琨; 关键词：光电子学分布布拉格反射器传输矩阵法入射角

温度对SiO_2光子晶体模板中生长InP的影响被引量：1: 2006年; 制备了人工欧泊SiO_2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO_2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响。扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO_2光子晶体模板中的生长有重要影响。隨着成核温度的升高,InP在SiO_2光子晶体模板中的填充率随之降低。; 常伟范广涵谭春华李述体雷勇黄琨郑品棋陈宇彬; 关键词：光电子学光子晶体温度

垒层Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响被引量：1: 2005年; 低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si 量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了13倍。; 谭春华范广涵周天明李述体黄琨雷勇; 关键词：MOCVD 光荧光

人工欧泊填充InP后的形貌和反射谱特性被引量：5: 2005年; 制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在SiO2人工opal球体间填充了高折射率的InP晶体,选择了MOCVD生长InP的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显示,InP晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的InP的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较好的符合.; 谭春华范广涵许静龙永福李述体周天明黄琨雷勇; 关键词：光子晶体

大功率白光二极管的散热问题探讨: 分析了功率型LED的发热机制,讨论了功率型照明用LED在脉冲源作用下,用于照明的可能性.检测了大功率LED在脉冲作用下的发热现象,实验证明在此激励源的作用下,LED散热较其在恒流驱动环境下要好,文章最后从理论上给予了解释...; 雷勇范广涵廖常俊李述体刘颂豪黄琨; 关键词：白光二极管光通量脉冲源散热问题; 文献传递

制备高密度多孔二维二硫化钼纳米片的方法: 本发明涉及纳米材料制备技术领域，具体涉及一种制备高密度多孔二维二硫化钼纳米片的方法，所述方法包括，制备有序铝纳米洞AAO阵列模板；通过CVD法直接在SiO<Sub>2</Sub>/Si基底上生成单层MoS<Sub>2</...; 张璋苏绍强曾志强汤丹程鹏飞林晓姿雷勇; 文献传递

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雷勇