黄琨
- 作品数：15 被引量：48H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学机械工程经济管理更多>>
- 一种儿童积木搭建辅助方法及系统
- 本发明公开了一种儿童积木搭建辅助方法及系统，该方法包括如下步骤：S1、构建图像识别神经网络模型，深度学习模型采用卷积神经网络CNN，构建一个串并联结合的卷积神经网络；S2、利用神经网络模型对积木成品搭建步骤进行训练，得到...
- 张准黄郑重陈元陈展奕黄琨
- 文献传递
- 应变对Al_xGa_(1-x)N能带间隙弯曲系数和能带结构的影响被引量：2
- 2005年
- 在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构和弯曲系数,并通过对AlxGa1-xN能带间隙的理论结果和实验结果分析比较,得出的能带间隙的弯曲系数与已有文献报道的实验结果相吻合。
- 黄琨范广涵谭春华李述体吴文光李华兵雷勇
- 关键词：ALXGA1-XN晶格常数
- 人工蛋白石光子晶体制备技术及改性研究进展被引量：2
- 2005年
- 人工蛋白石是一种极有前途的三维光子晶体带隙材料,介绍了二氧化硅人工蛋白石光子晶体在制备方面的研究进展及其改性研究的发展现状。
- 谭春华范广涵梁桂琼黄琨雷勇
- 关键词：蛋白石三维光子晶体改性研究二氧化硅
- AlGaInN四元系氮化物分离研究
- 2006年
- 氮基四元Ⅲ-Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件。可以通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小,得到在与衬底品格匹配的情况下不同的材料禁带宽度,但是由于在给定组分下AlGaInN难以稳定生长。所以应用价力场模型(VFF)研究它的热动力稳定性,得出了AlGaInN不稳定的二相区间,并且定量讨论两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系。希望对生长高质量AlGaInN材料起到参考作用。
- 黄琨范广涵刘颂豪李述体郭志友
- 关键词：光电子学LED
- Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性
- 2005年
- 低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级。
- 谭春华范广涵李述体周天明黄琨雷勇
- 关键词：光电子学X射线双晶衍射金属有机化学气相沉积光荧光
- 功率型白光LED的热特性研究被引量：26
- 2006年
- 大功率LED照明单元在光通量提高的同时伴随着散热,且普通功率型白光LED多采用蓝光芯片激发荧光粉的方法,随着温度的提升,荧光粉对应的波长会发生漂移。本文从功率型白光LED的发热原理出发,试验了其在脉冲源作用下,用于照明的可能性。试验表明,在此激励源的作用下,LED输出与散热很好,并从理论上进行了解释。
- 雷勇范广涵廖常俊刘颂豪李述体黄琨
- 关键词：白光LED光通量散热脉冲源
- 入射角对Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器反射光谱的影响被引量：3
- 2006年
- 采用传输矩阵法对Al0.5Ga0.5As-AlAs材料的发光二极管分布布拉格反射器进行入射角的反射光谱研究，计算发现反射偏振光p和s随入射角的增大呈“V”形变化，在49．8°处有最小反射值。不同入射介质[以空气和限制层（Al0.7Ga0.3）0.5In0.3P材料]下的反射光谱受入射角的影响差异很大，其中入射角对空气入射介质的反射谱影响较小，由0°入射的反射率88．13％降至45。的84．94％，反射峰值波长蓝移仅10nm；但入射角对（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P入射介质的反射谱影响很大，仅从0°到45°入射，反射率降幅就超过45％，反射峰值波长蓝移超过127nm。为了减缓这种影响，提出了多波长布拉格反射器结构设计。计算表明多波长分布布拉格反射器在0°～45°的入射角内比传统的分布布拉格反射器有更好的光谱特性，这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。
- 郑树文范广涵李述体雷勇黄琨
- 关键词：光电子学分布布拉格反射器传输矩阵法入射角
- 垒层Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响被引量：1
- 2005年
- 低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si 量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了13倍。
- 谭春华范广涵周天明李述体黄琨雷勇
- 关键词：MOCVD光荧光
- 温度对SiO_2光子晶体模板中生长InP的影响被引量：1
- 2006年
- 制备了人工欧泊SiO_2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO_2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响。扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO_2光子晶体模板中的生长有重要影响。隨着成核温度的升高,InP在SiO_2光子晶体模板中的填充率随之降低。
- 常伟范广涵谭春华李述体雷勇黄琨郑品棋陈宇彬
- 关键词：光电子学光子晶体温度
- 人工欧泊填充InP后的形貌和反射谱特性被引量：5
- 2005年
- 制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在SiO2人工opal球体间填充了高折射率的InP晶体,选择了MOCVD生长InP的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显示,InP晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的InP的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较好的符合.
- 谭春华范广涵许静龙永福李述体周天明黄琨雷勇
- 关键词：光子晶体
