范广涵
- 作品数：333 被引量：748H指数：15
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- GaN基LED溢出电流的模拟
- 2009年
- 通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响,并为减小溢出电流提供了思路.
- 李军范广涵刘颂豪姚光锐杨昊胡胜蓝
- 关键词：多量子阱极化效应
- 发光二极管(LED)外延片材料和生长方法
- 范广涵李述体章勇郑树文张涛尹以安何苗宿世臣刘纪美易柱臻
- 技术创新要点和突破点：1.以超晶格作为p型电极接触层的GaN基LED外延结构研制方面达到国际先进水平。2.研制出以GaP做p型层的GaN基LED。3.普通结构尺寸芯片(300微米×300微米，常规芯片结构)：光功率达到1...
- 关键词：
- 关键词：发光二极管
- 多层GaAlInP半导体单晶结构的X射线双晶衍射分析
- 双晶衍射仪对外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结构(DH)的单晶薄层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合崎变与散射来解释测试结果.比较肯定的确定了此样品的结构与晶体质量.并对晶体...
- 王浩范广涵廖长俊
- 关键词：双晶衍射晶体结构
- p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质被引量：4
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg\Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si\O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.
- 邢海英范广涵周天明
- 关键词：磁学性质
- 应变对Al_xGa_(1-x)N能带间隙弯曲系数和能带结构的影响被引量：2
- 2005年
- 在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构和弯曲系数,并通过对AlxGa1-xN能带间隙的理论结果和实验结果分析比较,得出的能带间隙的弯曲系数与已有文献报道的实验结果相吻合。
- 黄琨范广涵谭春华李述体吴文光李华兵雷勇
- 关键词：ALXGA1-XN晶格常数
- 金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
- 2008年
- 制备磷化铟(InP)反欧泊三维光子晶体的关键是提高InP在欧泊空隙中的填充率。使用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在人工欧泊空隙中生长了InP晶体,分析了影响InP在欧泊空隙中填充的因素及确定了InP的最佳生长条件。实验和理论分析的结果较为符合。磷化铟在人工欧泊空隙中的填充率越高,二氧化硅球和空隙间的折射率差越大,人工欧泊光子晶体光学性能的变化就越显著;周期生长、低压、使用和InP失配小的衬底以及异质同构现象有助于InP在欧泊空隙中的填充。在优化的生长条件下制备了填充率较高的SiO2-InP光子晶体。研究结果为制备InP反欧泊结构积累了有益的经验。
- 谭春华范广涵黄旭光
- 关键词：光子晶体光子带隙金属有机化学气相沉积磷化铟
- 用金刚石粉-铜粉复合材料散热的发光二极管照明装置
- 本发明公开了用金刚石粉-铜粉复合材料散热的发光二极管照明装置，包括金刚石粉-铜粉复合材料制成的散热基板（1）、LED（5）和侧向散热板（9），LED（5）通过导热胶（4）直接粘合在散热基板（1）的上表面上。另外LED照明...
- 姚光锐范广涵张涛郑树文周德涛赵芳贺龙飞
- 应用MOCVD方法以GaAlAs材料制备的一维光子晶体来获得窄光谱
- 对光在有缺陷的一维光子晶体中的传播进行了研究.并制备了以GaAlAs/AlAs为结构单元的一维光子晶体.由于一维光子晶体的周期性被打破,使得光子晶体的能态密度(DOM)发生改变,导致光的传播发生变化.并用流行的计算方法以...
- 王浩廖长俊范广涵
- 关键词：一维光子晶体能态密度MOCVD光传播
- 文献传递
- 高亮度发光二极管外量子效率的计算被引量：2
- 2002年
- 本文对典型结构高亮度发光二极管（ＨＢ－ＬＥＤ）的注入电流扩展以及器件的光输出进行了详细的理论分析，结果表明具有较厚顶层的器件容易实现注入电流的扩展，而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光耦合输出，因此引入较厚顶层和底层是提高ＬＥＤ的外量子效率的有效手段．最后分别计算出不同顶层厚度下具有吸收衬底和透明衬底的ＬＥＤ的外量子效率，这两类ＬＥＤ 最大外量子效率分别为 １２．０５％和２０．１２％．
- 邓云龙廖常俊刘颂豪范广涵文尚胜
- 关键词：外量子效率亮度发光二极管
- GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
- 陈练辉范广涵陈贵楚吴文光李华兵
- 关键词：多量子阱光荧光谱
