隋晓红
- 作品数：5 被引量：14H指数：2
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 基于有源电容倍增器的新型电荷泵DC-DC变换器被引量：5
- 2004年
- 电荷泵中浮置电容是影响输出特性的关键因素 ,针对大容量浮置电容难以集成的问题 ,提出利用电流传输器构成有源电容倍增器代替浮置电容的方法 ,可使等效的浮置电容容量提高 1～ 3个数量级 .利用PSPICE软件对反压及倍压电荷泵分别在采用有源电容倍增器和理想电容的情况下进行仿真 ,对比分析的结果说明采用有源电容倍增器的电荷泵电路仅需要很小的电容就能得到与外加大容量浮置电容电荷泵电路相同的输出特性 (实例中 10 0pF可等效 5 0nF) ,从而基于有源电容倍增器的电荷泵将更易于全单片集成 .
- 王立志陈治明赵敏玲隋晓红
- 关键词：电荷泵开关电容DC-DC变换器电流传输器
- 适合集成开关电容DC-DC变换器的浮地电容倍增器被引量：2
- 2004年
- 针对在集成电路中制作大容量电容器的困难,提出了一种利用电流传输器提高集成电容器容量的方法,称之为连续可变浮地电容倍增器。分析了电容倍增的机理,建立了相应的关系式,在此基础上对用此浮地电容构成的一阶滤波器和开关电容DC-DC变换器进行了理论分析和PSPICE仿真。结果表明,利用电流传输器的阻抗变换作用,可使小容量的电容等效变换为较大容量的浮地电容,从而便于开关电容DC-DC变换器实现全单片集成。
- 王立志陈治明赵敏玲隋晓红
- 关键词：DC-DC变换器电流传输器集成电路
- SiC_(1-x)Ge_x/SiC异质结光电二极管特性的研究(英文)被引量：8
- 2005年
- 使用二维器件模拟软件Medici,对SiC_(1-x) Ge_x/SiC异质结的光电特性进行了模拟.设计了N型重掺杂SiC层的厚度为 1μm,P型轻掺杂SiC_(1-x) Ge_x/SiC层厚为 0. 4μm,二者之间形成突变异质结.在反向偏压 3V、光强度为 0. 23W /cm2的条件下,p-n+SiC0. 8Ge0. 2 /SiC和p-n+SiC0. 7Ge0. 3 /SiC敏感波长λ分别可以达到0. 64μm和 0. 7μm,光电流分别为 7. 765×10-7 A/μm和 7. 438×10-7 A/μm;为了进一步提高SiC1-xGex/SiC异质结的光电流,我们把p-n+两层结构改进为p i n三层结构.在同样的偏压、光照条件下,p i nSiC0. 8Ge0. 2 /SiC和p i nSiC0. 7Ge0. 3 /SiC的光电流分别达到 1. 6734×10-6 A/μm和 1. 844×10-6 A/μm.
- 靳瑞英陈治明蒲红斌隋晓红
- 关键词：异质结
- 用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性(英文)
- 2003年
- 介绍了一种具有改进电路结构和改进工艺的单片集成 3.3V/ 1.2 V开关电容 DC- DC变换器 ,其控制脉冲频率和固定导通比分别为 10 MHz和 0 .5 .为了提高变换器的输出电流 ,采用 CMOS工艺来制造电路中的开关器件和改进的互补型电路结构 .使用 Hspice电路仿真软件得到的仿真结果表明改进变换器的单个单元电路和互补型电路可使输出电流分别达到 12 .5 m A和 2 6 m A,且后者的功率转换效率为 73% ,输出电压纹波小于 1.5 % .变换器在日本东京大学的标准 Rohm 0 .35 μm CMOS工艺线上投片试制 ,测试结果显示 ,使用 CMOS开关的变换器单元电路的输出电流为 9.8m A.
- 隋晓红陈治明赵敏玲余宁梅王立志
- 关键词：DC-DC变换器CMOS工艺单片集成开关电容
- 改善单片集成3.3V//1.2V开关电容DC-DC变换器的输出特性
- 本文着眼于单片集成3.3V／1.2V开关电容/(SC/)DC-DC变换器输出特性的改善，利用计算机仿真手段，对变换电路的拓扑结构、电路元件、制造工艺、以及集成电容的介质材料等进行全面的优化分析，探索特性改善的有效途径。采...
- 隋晓红
- 关键词：CMOS工艺开关电容稳压电路
- 文献传递
