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靳瑞英

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇SIC
  • 1篇英文
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇光电
  • 1篇光控
  • 1篇二极管
  • 1篇二极管特性
  • 1篇SIC器件
  • 1篇ARL
  • 1篇X

机构

  • 2篇西安理工大学

作者

  • 2篇靳瑞英
  • 1篇蒲红斌
  • 1篇陈治明
  • 1篇隋晓红

传媒

  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
光控SiC器件的计算机模拟
在本文中，通过使用二维器件模拟软件MEDICI，对SiCGe／SiC异质结的光电特性进行了模拟。在这个异质结中，N型重掺杂3C-SiC层的厚度为1μm，P型轻掺杂SiCGe层厚度为0.4μm，二者之间形成突变异质结。在反...
靳瑞英
关键词：异质结
文献传递
SiC_(1-x)Ge_x/SiC异质结光电二极管特性的研究(英文)被引量：8
2005年
使用二维器件模拟软件Medici,对SiC_(1-x) Ge_x/SiC异质结的光电特性进行了模拟.设计了N型重掺杂SiC层的厚度为 1μm,P型轻掺杂SiC_(1-x) Ge_x/SiC层厚为 0. 4μm,二者之间形成突变异质结.在反向偏压 3V、光强度为 0. 23W /cm2的条件下,p-n+SiC0. 8Ge0. 2 /SiC和p-n+SiC0. 7Ge0. 3 /SiC敏感波长λ分别可以达到0. 64μm和 0. 7μm,光电流分别为 7. 765×10-7 A/μm和 7. 438×10-7 A/μm;为了进一步提高SiC1-xGex/SiC异质结的光电流,我们把p-n+两层结构改进为p i n三层结构.在同样的偏压、光照条件下,p i nSiC0. 8Ge0. 2 /SiC和p i nSiC0. 7Ge0. 3 /SiC的光电流分别达到 1. 6734×10-6 A/μm和 1. 844×10-6 A/μm.
靳瑞英陈治明蒲红斌隋晓红
关键词：异质结
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