赵建华
- 作品数：7 被引量：25H指数：4
- 供职机构：河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省高校科技创新团队支持计划河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Tl在Si(111)面吸附特性理论研究被引量：1
- 2010年
- 戴宪起赵建华孙永灿危书义卫国红
- 关键词：第一性原理铊电荷密度
- 缺陷对Pt在石墨烯上吸附影响的研究被引量：8
- 2010年
- 本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定位置是Pt吸附在桥位;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphene空位处的吸附;B替位掺杂有利于Pt原子在杂质附近的吸附.
- 戴宪起唐亚楠赵建华
- 关键词：B掺杂第一性原理
- Al,Si,P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响被引量：4
- 2011年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,Al、Si、P掺杂增强了Ge在石墨烯上的吸附,其中Al掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响最大,P掺杂次之,Si掺杂最小;Ge吸附Al掺杂体系和Si掺杂体系不具有磁性,Ge吸附P掺杂体系具有磁性.
- 李艳慧刘中山赵建华赵宝戴宪起
- 关键词：石墨烯AL掺杂第一性原理
- 空位和B掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响被引量：11
- 2011年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.结果表明:对完整的石墨烯结构,Si吸附在桥位最稳定,Si吸附改变了石墨烯中C原子的自旋性质;空位和B替位掺杂均加强了Si在缺陷处的吸附,空位对Si在石墨烯上吸附的影响相对较大;B掺杂改变了Si的稳定吸附位置(由桥位移到顶位);Si在空位和B掺杂石墨烯上吸附,体系不具有磁性;B掺杂提高了石墨烯体系的导电性能;单空位缺陷不易形成,结构不稳定,B掺杂结构相对较稳定.
- 戴宪起李艳慧赵建华唐亚楠
- 关键词：石墨烯空位缺陷B掺杂SI第一性原理
- 耦合ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子点中的激子态和带间光跃迁
- 2009年
- 在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化。结果表明:激子结合能、带间光跃迁能和电子-空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低。
- 危书义卫国红孙永灿赵建华
- 关键词：量子点激子结合能
- 石墨烯纳米带耦合第一性原理研究
- 集成电路中元器件的尺寸不断缩小,对纳米器件中带状材料的耦合作用的研究具有重要实际意义.因较弱的自旋‐轨道耦合,石墨烯被认为是制造自旋电子器件如自旋场效应晶体管的理想材料.研究石墨烯纳米带最小宽度,纳米带边缘耦合对体系电子...
- 戴宪起赵建华
- 关键词：石墨烯纳米带第一性原理
- 空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响被引量：5
- 2011年
- 利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(铟)原子在石墨烯上吸附的影响。结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用。而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强。无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附。
- 戴宪起孙永灿赵建华危书义
- 关键词：第一性原理空位掺杂铟硅石墨烯
