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孙永灿

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金河南省高校科技创新团队支持计划河南省自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇第一性原理
  • 2篇硅
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷密度
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇空位
  • 1篇激子
  • 1篇激子结合能
  • 1篇激子态
  • 1篇SI(111...
  • 1篇TL
  • 1篇ZNO
  • 1篇铊
  • 1篇铟
  • 1篇掺杂
  • 1篇O
  • 1篇X

机构

  • 3篇河南师范大学

作者

  • 3篇危书义
  • 3篇赵建华
  • 3篇孙永灿
  • 2篇戴宪起
  • 2篇卫国红

传媒

  • 1篇新型炭材料
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
耦合ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子点中的激子态和带间光跃迁
2009年
在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化。结果表明:激子结合能、带间光跃迁能和电子-空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低。
危书义卫国红孙永灿赵建华
关键词：量子点激子结合能
Tl在Si(111)面吸附特性理论研究被引量：1
2010年
戴宪起赵建华孙永灿危书义卫国红
关键词：第一性原理铊电荷密度
空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响被引量：5
2011年
利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(铟)原子在石墨烯上吸附的影响。结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用。而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强。无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附。
戴宪起孙永灿赵建华危书义
关键词：第一性原理空位掺杂铟硅石墨烯
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