李艳慧
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 供职机构：河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省高校科技创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Al,Si,P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响被引量：4
- 2011年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,Al、Si、P掺杂增强了Ge在石墨烯上的吸附,其中Al掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响最大,P掺杂次之,Si掺杂最小;Ge吸附Al掺杂体系和Si掺杂体系不具有磁性,Ge吸附P掺杂体系具有磁性.
- 李艳慧刘中山赵建华赵宝戴宪起
- 关键词：石墨烯AL掺杂第一性原理
- Si、Ge在掺杂石墨烯上吸附的第一性原理研究
- 自2004年首次制造出石墨烯以来,它独特的电子特性在微电子领域和基础物理学中有着广泛的应用价值,石墨烯已经成为了备受瞩目的国际前沿和热点。本文基于密度泛函理论/(DFT/)第一原理计算方法,研究了空位缺陷和替位掺杂对石墨...
- 李艳慧
- 关键词：石墨烯掺杂硅锗
- 文献传递
- 空位和B掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响被引量：11
- 2011年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.结果表明:对完整的石墨烯结构,Si吸附在桥位最稳定,Si吸附改变了石墨烯中C原子的自旋性质;空位和B替位掺杂均加强了Si在缺陷处的吸附,空位对Si在石墨烯上吸附的影响相对较大;B掺杂改变了Si的稳定吸附位置(由桥位移到顶位);Si在空位和B掺杂石墨烯上吸附,体系不具有磁性;B掺杂提高了石墨烯体系的导电性能;单空位缺陷不易形成,结构不稳定,B掺杂结构相对较稳定.
- 戴宪起李艳慧赵建华唐亚楠
- 关键词：石墨烯空位缺陷B掺杂SI第一性原理
- N、Al、P替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了N、Al和P掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响。结果表明:N掺杂石墨烯为n型掺杂,提高了石墨烯体系的导电性;N、P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Si在石墨烯上的吸附位置有显著的影响;Al、P掺杂增强了Si在石墨烯上的吸附, N掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响很小;Si吸附在N-graphene、P-graphene体系具有磁性,Si吸附Al-graphene体系磁矩为零,不显示磁性。
- 胡功臣李艳慧徐庆强柯三黄
- 关键词：石墨烯第一性原理
