王文彦
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究被引量：3
- 2008年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。
- 王文彦秦福文吴爱民宋世巍李瑞姜辛徐茵顾彪
- 关键词：氮化镓玻璃衬底
- 氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响被引量：2
- 2008年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度c轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样品进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结晶性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.
- 王文彦秦福文吴爱民宋世巍刘瑞贤姜辛徐茵顾彪
- 关键词：GAN薄膜半导体材料玻璃衬底
- 玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜及其特性分析
- 氮化镓(GaN)属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体，具有纤锌矿晶体结构，室温下的禁带宽度为3.39eV，是新一代宽禁带半导体材料，具有广泛的应用。首先，GaN可制成高效蓝、绿光发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光电子器件...
- 王文彦
- 关键词：氮化镓半导体薄膜玻璃衬底
- 文献传递
- 衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响
- 2009年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响。结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差。
- 陈伟绩秦福文吴爱民王文彦
- 关键词：GAN氮化ECR-PEMOCVD玻璃衬底
