徐茵
- 作品数：50 被引量：171H指数：9
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- (001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面被引量：17
- 1998年
- 用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种方法测得其晶格常数为０．４５１～０．４５７ｎｍ；在ＧａＮ／ＧａＡｓ界面处的生长模式为异质外延；ＧａＮ薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错；随着远离界面，ＧａＮ中位错密度与镶嵌组织迅速减少．
- 顾彪徐茵孙凯秦福文
- 关键词：砷化镓氮化镓
- 氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响被引量：2
- 2008年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度c轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样品进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结晶性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.
- 王文彦秦福文吴爱民宋世巍刘瑞贤姜辛徐茵顾彪
- 关键词：GAN薄膜半导体材料玻璃衬底
- GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用被引量：8
- 2002年
- GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用 。
- 顾彪王三胜徐茵秦福文窦宝锋常久伟邓祥杨大智
- 关键词：GAN材料性质半导体器件半导体材料氮化镓
- 聚合物表面等离子体接枝共聚改性
- 1998年
- 聚合物表面等离子体接枝共聚改性张砚臣，顾彪，徐茵（大连理工大学电磁工程系，大连１１６０２４）１实验实验装置由玻璃钟罩放电室、处理室、样品台、０～１ｋＷＲＦ功率源和电感线圈、针阀、氩气源、接枝单体－丙烯酸、Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针测量系统、真空监测系统等组...
- 张砚臣顾彪徐茵
- 关键词：等离子体接枝共聚改性
- GaN基半导体材料研究进展被引量：8
- 2003年
- 简单回顾半导体短波长激光器的发展过程,总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。
- 郎佳红顾彪徐茵秦福文
- 关键词：半导体激光器激光二极管GAN薄膜半导体材料P型掺杂
- GaN生长中的等离子体光谱研究
- 顾彪徐茵肇莹秦福文
- 关键词：氮化镓等离子体发射光谱
- GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜被引量：4
- 2003年
- 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR PEMOCVD)技术,在α Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测量样品,研究了AlN缓冲层和氮化镓(GaN)对六方AlN外延层质量的影响,实验表明在GaN缓冲层上能够低温生长出C轴取向的AlN单晶薄膜。
- 秦福文顾彪徐茵杨大智
- 关键词：AINGANECR-PEMOCVD
- 在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法被引量：1
- 2003年
- 分析了在ECR MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点,在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面,并进行了一系列不同条件下的对比试验,以反射高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)对实验结果进行检测,发现在清洗的过程中加入一定量的氮可以避免单纯氢清洗对衬底的损伤,并取得了比较好的氮化效果。
- 刘国涛徐茵顾彪秦福文周智猛
- 关键词：GAAS氮化GAN薄膜反射高能电子衍射
- 丝普纶及化纤常压辉光放电等离子体改性研究系统与方法
- 丝普纶及化纤常压辉光放电等离子体改性研究系统与方法属于化纤改性、辉光放电、等离子体技术领域。涉及一种能在常压下产生大面积、均匀、无损伤的辉光放电等离子体的表面改性系统与技术，适于化纤织物及丝普纶织物改性工艺的实验研究和放...
- 顾彪徐茵
- 文献传递
- ECR-MOCVD方法GaN单晶薄膜生长热力学分析
- 2002年
- 基于热力学平衡和化学平衡理论 ,针对电子回旋共振金属有机化学气相沉积(ECR MOCVD)系统生长GaN的特点 ,给出了化学平衡模型和理论分析结果。计算得出了六方GaN的生长驱动力ΔP与生长条件 (Ⅲ族源输入分压P0 Ga 、Ⅴ /Ⅲ比、生长温度 )的关系。发现在 6 0 0～ 90 0℃内GaN沉积生长速率由Ⅲ族源气体的质量输运所控制。计算得到了六方GaN生长的决定因素和相图。理论计算和实验结果通过比较发现是吻合的。
- 王三胜顾彪徐茵
- 关键词：热力学平衡化学平衡理论
