王三胜
- 作品数：32 被引量：63H指数：5
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 等离子体增强MOCVD低温生长GaN及工艺监控研究
- 王三胜
- 关键词：半导体材料氮化镓GAN薄膜
- 采用ECR-PEMOCVD方法进行立方和六方GaN单晶薄膜生长的准热力学模型和相图(英文)
- 2004年
- 基于热力学平衡理论 ,对在电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积系统中的 Ga N薄膜生长给出了一个化学平衡模型 .计算表明 ,Ga N生长的驱动力 Δp是以下生长条件的函数 : 族输入分压 ,输入 / 比 ,生长温度 .计算了六方和立方 Ga N的生长相图 ,计算结果和我们的实验结果显示出一定的一致性 .通过分析 ,解释了高温和高 / 比生长条件适合六方 Ga N的原因 .上述模型可以延伸到用于 Ga N单晶薄膜生长的类似系统中 .
- 王三胜顾彪
- 关键词：GAN热力学分析
- 节省口线的X84041及其在51单片机系统中的应用被引量：1
- 2001年
- 文章介绍了X84 0 4 1的性能、特点和工作原理 。
- 王三胜顾彪
- 关键词：EEPROM单片机汇编程序
- GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用被引量：8
- 2002年
- GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用 。
- 顾彪王三胜徐茵秦福文窦宝锋常久伟邓祥杨大智
- 关键词：GAN材料性质半导体器件半导体材料氮化镓
- 一种在金属基底上形成织构外延膜的方法
- 本发明涉及一种直接在在金属基底上形成织构外延膜的方法，属于超导材料制备技术领域。其工艺过程依次为：金属基带轧制，制备涂膜溶液，在轧制金属基带上涂膜，加温使涂层热解成相形成织构缓冲层和织构基底。本发明提供的这种工艺方法的优...
- 王三胜陈胜韩征和刘莉
- 文献传递
- 离子束辅助沉积技术及其在YBCO覆膜导体制备方面的应用进展
- 离子束辅助沉积(IBAD)技术因为材料生长过程中辅助离子束的引入,可以显著的改变材料的微观结构和取向等,被广泛的试用于各种功能材料的制备。其中包括近年来广泛应用于YBCO涂层导体的制备。
- 王三胜
- 文献传递
- 用N<sub>2</sub>-H<sub>2</sub>等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响（英文）被引量：1
- 2001年
- 我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 (ECR PEMOCVE)技术在GaAs( 0 0 1 )衬底上外延生长立方GaN的过程中衬底氮化条件对外延膜生长的影响。发现氮化时在氮等离子体中加入氢等离子体对于立方GaN薄膜生长具有显著影响。和氮化过程中不加入氢等离子体相比 ,氮化过程中加入氢等离子体生长出的外延膜其X射线衍射 (XRD)半高宽 (FWHM)可以最高降低 4 0 %以上。原子力显微镜 (AFM)观察表明 :在N2 H2 混合等离子中氮化过的衬底上外延的缓冲层表面变得更为平滑 ,晶粒也变得粗大。最后 ,我们提出了一个化学模型对上述结果进行了分析和解释。
- 王三胜顾彪徐茵秦福文秦福文杨大智
- 关键词：ECR-PEMOCVD氮化立方GAN氢等离子体
- 制作高温超导器件的表面改性方法
- 制作高温超导器件的表面改性方法属于超导器件制作技术领域，其特征在于：用于增加材料表面平整度、改变被加工材料的组织结构如织构或内部缺陷的载能粒子束的能量为5－50000eV，较好的是5－10000eV，入射角为5－85度。...
- 韩征和王三胜吴铠刘梦林
- 文献传递
- 用N_2-H_2等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响(英文)
- 2001年
- 我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 (ECR PEMOCVE)技术在GaAs( 0 0 1 )衬底上外延生长立方GaN的过程中衬底氮化条件对外延膜生长的影响。发现氮化时在氮等离子体中加入氢等离子体对于立方GaN薄膜生长具有显著影响。和氮化过程中不加入氢等离子体相比 ,氮化过程中加入氢等离子体生长出的外延膜其X射线衍射 (XRD)半高宽 (FWHM)可以最高降低 4 0 %以上。原子力显微镜 (AFM)观察表明 :在N2 H2 混合等离子中氮化过的衬底上外延的缓冲层表面变得更为平滑 ,晶粒也变得粗大。最后 ,我们提出了一个化学模型对上述结果进行了分析和解释。
- 王三胜顾彪徐茵秦福文隋郁杨大智
- 关键词：ECR-PEMOCVD氮化立方GAN氢等离子体
- 西文DOS下监控软件的C语言设计与实现被引量：2
- 2001年
- 分析了实时监控系统软件的特点。提出了西文DOS下微机监控软件中一些关键技术的编程方法和程序实现 ,包括键盘输入、快速图形操作、过程数据趋势图显示、汉字显示等功能 ,以上程序实现简单 。
- 王三胜顾彪徐茵
- 关键词：DOS实时监控C语言程序设计监控软件
