宋世巍
- 作品数：90 被引量：14H指数：3
- 供职机构：沈阳工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>
- 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法
- 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。所述异质结构是在苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO<Sub>2</Sub>材料层、VO<Sub>2</Sub>材料层、第二A...
- 张东李昱材赵琰王健宋世巍王刚丁艳波王晗刘莉莹
- 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构
- 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，属于可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域。从下到上依次包括普通聚对苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO<Sub>2</Sub>材料层、VO<Sub>2</Sub>材...
- 李昱材张东赵琰王健宋世巍王刚丁艳波王晗刘莉莹
- 文献传递
- C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究（英文）
- 2016年
- Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能。而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些问题。详细研究了在C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD外延生长和性质。N面GaN表面非常粗糙,薄膜中刃位错和混合位错的含量较高。在Si掺杂的N面GaN的室温PL谱中没有观测到黄带的产生。利用热磷酸溶液对N面GaN腐蚀,在外延膜的表面产生了大量的Ga空位,对应的PL谱出现了黄带,确定黄带来源于Ga空位。经过腐蚀后的GaN呈12面锥体形貌,锥体的形成可以弛豫薄膜中的张应力,此外,随着腐蚀的进行,低温PL谱的半峰宽变窄。
- 宋世巍张东赵琰王存旭柯昀洁李昱材王健王刚丁艳波王晗刘莉莹郭瑞
- SiC衬底GaN LED生长及器件制备
- 半导体发光二极管(LED)是制备半导体照明这一新型光源的核心元器件,具有巨大的市场前景。蓝光GaNLED可采用蓝宝石(Sapphire)与碳化硅(SiC)作为外延衬底材质,并以蓝宝石基板应用较为普遍。SiC与GaN的晶格...
- 梁红伟宋世巍张克雄申人升柳阳杜国同
- 一种高性能超级电容器异质结构的电极材料的制备方法
- 本发明属于电极材料制备领域，主要包括一种高性能超级电容器异质结构的电极材料的制备方法。该方法包括：对泡沫镍预处理，将硝酸镍、硝酸钴，氟化铵，尿素溶入水中制备前驱体；接着将硝酸钴，钼酸钠，氟化铵，尿素溶入50ml水中；然后...
- 王健宋世巍李昱材柯昀洁李兆滢白金禹姜铭坤赵琰张东林盛王晗郭瑞王东来姜河许鉴金家丞
- 氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响被引量：2
- 2008年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度c轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样品进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结晶性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.
- 王文彦秦福文吴爱民宋世巍刘瑞贤姜辛徐茵顾彪
- 关键词：GAN薄膜半导体材料玻璃衬底
- 一种基于混合迭代ADP方法的锂离子电池储能系统能量管理方法
- 一种基于混合迭代ADP方法的锂离子电池储能系统能量管理方法，属于动力电池管理技术领域，包括如下步骤：步骤1：确定功率关系和状态转移方程；步骤2：确定动态优化指标函数；步骤3：确定优化目标和约束条件；步骤4：根据贝尔曼最优...
- 罗金鸣徐慧雯王存旭赵琰姜河宋世巍王浩苏媛媛董香栾李文瑞魏莫杋庄严
- 可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法
- 本发明属于柔性太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池具体结构是：Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1...
- 张铁岩赵琰张东鞠振河郑洪李昱材宋世巍王健边继明刘宝丹
- 文献传递
- 一种电-热互联综合能源系统建模与潮流计算方法
- 本发明公布了一种电‑热互联综合能源系统建模与潮流计算方法，该方法包括以下步骤：(1)：构建含有分布式电源接入的电力系统潮流计算模型，利用改进的前推回代法对PV节点进行特殊处理，实现分布式电源接入配电网的潮流计算。(2)：...
- 林盛李兆滢辛长庆何雨桐魏莫杋赵琰姜河宋世巍韩吉安琦叶瀚文赵涛白金禹胡宸嘉周航王亚茹姜铭坤许鉴
- 文献传递
- 一种空心纳米线组装微米球的制备方法
- 本发明属于超级电容器技术领域，具体涉及一种空心纳米线组装微米球的制备方法。该方法包括：对泡沫镍进行预处理，将10～15mmol六水合硝酸钴、5～8mmol六水合硝酸镍，10～15mmol柠檬酸溶入50～60ml醇类溶液中...
- 赵琰张东李昱材宋世巍王健柯昀洁
- 文献传递
