林洁馨
- 作品数：34 被引量：9H指数：2
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：贵州省科学技术基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 三维集成电路硅通孔热特性的COMSOL模型被引量：1
- 2016年
- 利用COMSOL软件建立了三维集成电路散热模型并进行仿真。仿真结果显示,在元胞块之间插入TSV网络可以有效将三维集成电路温度控制在一个安全范围之内,而且随着TSV半径的增大,三维集成电路散热效果更好。
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- 关键词：三维集成电路散热问题
- 一种基于键合技术的三维集成功率半导体
- 本实用新型公开了一种基于键合技术的三维集成功率半导体，它包括衬底（1）和隔离槽（5），隔离层（2）位于衬底（1）上，埋层（3）位于隔离层（2）上，工作层（4）位于埋层（3）上，隔离槽（5）位于工作层（4）左右侧，在隔离层...
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- 文献传递
- 一种双极型单片三维半导体集成结构
- 本实用新型公开了一种双极型单片三维半导体集成结构，它包括P型衬底，轻掺杂P型外延层位于P型衬底上，轻掺杂N型外延层位于轻掺杂P型外延层上。在P型衬底和P型外延层之间集成有半导体器件，在轻掺杂N型外延层上也集成有半导体器件...
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- 一种基于外延技术的三维集成功率半导体及其制作方法
- 本发明公开了一种基于外延技术的三维集成功率半导体及其制作方法，集成的大功率器件是VDMOS，在常规硅基厚外延高压BCD工艺前，加入了制作基底材料的步骤，该步骤以杂质浓度大于19次方数量级的重掺杂N型硅片作为衬底材料，包括...
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- 一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法
- 本发明公开了一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法，它包括将三维集成系统分解成单个功率元胞，在该功率元胞中，考虑硅通孔横向热阻和纵向热阻的影响，建立分段热阻模型；根据基尔霍夫定律得出包含上下层芯片温度的矩阵方程；根据传...
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- 文献传递
- 一种双极型单片三维半导体集成结构及其制备方法
- 本发明公开了一种双极型单片三维半导体集成结构及其制备方法，它包括P型衬底，轻掺杂P型外延层位于P型衬底上，轻掺杂N型外延层位于轻掺杂P型外延层上。在P型衬底和P型外延层之间集成有半导体器件，在轻掺杂N型外延层上也集成有半...
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- 一种三维功率VDMOS器件及其集成方法
- 本发明公开了一种三维功率VDMOS器件及其集成方法，它包括功率单元和芯片层，所述芯片层有二个以上，每个芯片层上均匀分布有二个以上的功率单元，每个功率单元外围设置有独立的终端，每个功率单元外围设置有层间导电互连的TSV通孔...
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- 三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法
- 2016年
- 二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。
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- 关键词：自加热效应
- 一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺被引量：2
- 2013年
- 当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度.为解决现有BCD工艺存在的缺陷,提出了一种集成有高压VDMOS器件,并将VDMOS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺.仿真得到VDMOS的阈值电压为2.5V,击穿电压为161V;NPN管和PNP管的C-E耐压分别为47.32V、32.73V,β分别为39.68、9.8;NMOS管和PMOS管的阈值电压分别为0.65V、-1.16V,D-S耐压分别为17.37V、14.72V.
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- 关键词：BCD工艺VDMOS
- 一种内嵌式复合散热结构的三维集成功率系统
- 本实用新型公开了一种内嵌式复合散热结构的三维集成功率系统，它包括散热片（1），散热片（1）上方为高压大功率器件层（2），高压大功率器件层（2）上方为低压器件及传感器器件层（3），本实用新型解决了三维集成功率系统的散热问题...
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