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丁召

作品数：141 被引量：155H指数：7
供职机构：贵州省微纳电子与软件技术重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金博士科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 102篇期刊文章
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领域

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主题

  • 21篇GAAS(0...
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  • 17篇分子束外延
  • 17篇STM
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  • 13篇MBE
  • 12篇量子
  • 12篇GAAS
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机构

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作者

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  • 63篇罗子江
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  • 17篇王继红
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传媒

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  • 5篇贵州大学学报...
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  • 1篇计算机时代
  • 1篇激光与光电子...

年份

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  • 4篇2012
  • 8篇2011
  • 11篇2010
  • 10篇2009
  • 1篇2008
共 141 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
RHEED衍射花样与晶体表面形貌的关联性研究被引量：2
2013年
采用带有RHEED的MBE技术,在GaAs(001)单晶衬底上生长不同厚度(0 ML,4 ML,15 ML)的In0.53Ga0.47As外延层,实时监测RHEED衍射图像的演变过程,生长结束后采用STM对其形貌进行扫描分析。研究分析结果表明,随着In0.53Ga0.47As外延层的不断加厚,RHEED衍射图像从最初的清晰明锐、重构可辨逐渐演变到背景模糊、条纹断裂,最后进入完全的网格状斑点状态;与此同时,对应的表面形貌也从原子级的有序平坦表面逐渐过渡到部分3D岛形成、粗糙度提高,最后表面完全由3D岛构成,表面进入粗糙状态。
王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召
关键词：RHEEDSTM
自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较
2011年
本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长。
何浩贺业全杨再荣罗子江周勋丁召
关键词：MBERHEEDINAS/GAASINGAAS/GAAS退火
一种STM探针针尖制备装置
本实用新型公开了一种STM探针针尖制备装置，包括：直流电源；底座；金属圈，金属圈位于探针夹持孔正前方，金属圈与直流电源的正极电连接；轻触开关，所述轻触开关串联在金属圈与直流电源之间；探针夹持座，所述探针夹持座上设有与探针...
王一郭祥王继红李军丽杨晨罗子江丁召
文献传递
Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析被引量：2
2018年
在As_4束流等效压强为1.2×10^(-3)Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(±1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝Τ.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20<θ<0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为55-60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.
王一杨晨杨晨杨晨郭祥魏节敏王继红罗子江丁召
关键词：ALGAAS退火
GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程被引量：2
2014年
采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过GaAs(001)在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs(001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态;多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式;当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。
罗子江周勋王继红郭祥王一魏文喆丁召
关键词：STM
北斗二号B1信号捕获方法研究被引量：1
2015年
为了缩短北斗B1信号的捕获时间,提高多普勒频率和码相位的估计精度,针对北斗NH码对差分相干累积值的影响,改进了广义差分相干累积捕获方法,并采用二次频率-码相位捕获法来提高载波多普勒频率和码相位的估计精度。理论分析与仿真实验表明,改进的广义差分相干累积法能够克服NH码的影响。用4个1 ms的相干累积值,改进的广义差分法可成功捕获信噪比为-27 d B的信号。最后,用实测的北斗数据验证了算法的正确性。
袁先举丁召卢艳娥袁美桂郭之亨
一种降压型DC-DC变换器动态斜坡补偿电路的设计被引量：4
2013年
提出了一种新型动态斜坡补偿方法,解决了在PWM峰值电流模式下工作的降压型DC-DC变换器在占空比大于50%时出现次谐波振荡的问题。该方法可以随着占空比的变化而实时调节补偿斜率。电路通过tsmc018rf CMOS工艺仿真,结果表明,固定输出电压为1.8V,对输入电压从2.5V到3.5V扫描时,补偿斜率逐渐减小;同样地,固定输入电压为3.3V,对输出电压从2.5V到1.6V扫描,补偿斜率逐渐增大。仿真结果验证了该方法的可行性。
刘雪飞丁召郝红蕾程刚刘娇杨发顺
关键词：自适应占空比脉宽调制
InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响
2015年
基于分子束外延(MBE)技术,以反射式高能电子衍射仪(RHEED)作为实时监测工具,在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的InAs材料形成量子点,并利用扫描隧道显微镜(STM)研究了量子点的形成及分布与InAs沉积量之间的关系。结果表明,在GaAs衬底平坦区,InAs按照SK模式生长,在纳米洞位置,洞内及其周围的台阶会约束量子点的生长成核,而随着InAs沉积量的增加,这种约束会逐渐减小。特别是当InAs沉积量为2ML时,在纳米洞周围会形成尺寸均匀、分布有序且呈环状的量子点结构。
赵振周海月郭祥罗子江王继红王一魏文喆丁召
关键词：分子束外延INAS量子点
一种低电压高精度带隙基准电压源设计被引量：1
2011年
本文对传统的带隙基准源电路进行了详细的分析,并对近些年来一些新出现的技术进行总结,采用二阶曲率补偿技术,提出了一种能在较低电压下工作的高精度电压基准源。本设计基于CSMC 0.35μm工艺仿真,结果表明电源电压为1.0V时,电路达到稳定工作状态,在-25-125℃的温度范围内,输出电压为530mV,平均温度系数为4.7ppm/℃,电源电压抑制比可达到-74dB,100-10MHz范围内输出噪声为178.4μV。
钟智毅杨发顺丁召
关键词：低电压带隙基准电压源二阶曲率补偿
一种单片式CMOS汽车电子调节器被引量：4
2010年
基于BiCMOS工艺下研制一种单片式多功能集成电路汽车电子电压调节器。采用具有温度补偿特性的基准电压源代替稳压二极管来提供交流发电机输出取样电压。调节器设计成单片CMOS集成方式,减小了调节器的体积,使其可以和交流发电机制作在一起,提升了调节器的稳定性,提高了整车供电质量,有效延长了汽车电子设备的使用寿命。Spice仿真结果表明,该芯片完全达到所要求的技术指标。
王基石宁江华丁召
关键词：BICMOS工艺电压调节温度补偿基准电压源
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