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张道银

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇半导体
  • 1篇电器件
  • 1篇镀膜
  • 1篇异质结
  • 1篇原子
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子密度
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇砷化镓
  • 1篇双异质结
  • 1篇双异质结构
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇卤化
  • 1篇卤化物
  • 1篇可见光
  • 1篇可见光激光器
  • 1篇功率激光器
  • 1篇光电

机构

  • 4篇重庆光电技术...

作者

  • 4篇张道银
  • 2篇毛庆丰
  • 1篇廖柯
  • 1篇曹宏斌

传媒

  • 3篇半导体光电
  • 1篇第五届全国光...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1987
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
用于氦原子泵浦的1080nm半导体激光器被引量：2
1999年
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子结构半导体激光器有其特有的波长输出范围，介绍了１ ０８０ ｎｍ ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子阱激光器的结构、典型的特性参数及其用途。
曹宏斌毛庆丰张道银
关键词：半导体激光器INGAAS/GAAS
镜面镀膜技术在GaAlAs可见光激光器中的应用
廖柯张道银
关键词：激光器镀膜
金属有机化学汽相淀积技术
1987年
本文主要介绍MOCVD技术。以实例对MOCVD技术与LPE技术、氯化物CVD和MBE技术进行了比较。评价了MOCVD技术在半导体光电器件制备领域内的作用。
张道银程泰平
关键词：MOCVD半导体光电器件卤化物载流子浓度载流子密度LPE
砷化镓大光腔大功率激光器
1992年
简要介绍了 GaAs 大光腔、大功率激光器的制作、性能参数,讨论了其制作关键。
张道银毛庆丰
关键词：激光器大光腔双异质结构砷化镓
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