您的位置： 专家智库 > >

毛庆丰

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇带宽
  • 1篇调制
  • 1篇调制带宽
  • 1篇异质结
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇原子
  • 1篇质量管理
  • 1篇砷化镓
  • 1篇双异质结
  • 1篇双异质结构
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇可靠性
  • 1篇宽带
  • 1篇脊形
  • 1篇脊形波导
  • 1篇工序能力
  • 1篇工序能力指数

机构

  • 3篇重庆光电技术...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 4篇毛庆丰
  • 2篇张道银
  • 1篇张怡
  • 1篇李应辉
  • 1篇曹宏斌

传媒

  • 3篇半导体光电

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1992
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
用于氦原子泵浦的1080nm半导体激光器被引量：2
1999年
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子结构半导体激光器有其特有的波长输出范围，介绍了１ ０８０ ｎｍ ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子阱激光器的结构、典型的特性参数及其用途。
曹宏斌毛庆丰张道银
关键词：半导体激光器INGAAS/GAAS
1.05μm高速宽带激光器研究
该文对1.05μm宽带激光器组件的研制过程进行了论述.在对量子阱和应变量子阱的能带结构、态密度、临界厚度、光谱线宽和调制带宽进行理论分析基础上,重点讨论了器件的结构参数、材料参数设计,特别是波长的计算和对波长的控制,并在...
毛庆丰
关键词：应变量子阱INGAAS/GAAS分别限制结构脊形波导调制带宽
文献传递
砷化镓大光腔大功率激光器
1992年
简要介绍了 GaAs 大光腔、大功率激光器的制作、性能参数,讨论了其制作关键。
张道银毛庆丰
关键词：激光器大光腔双异质结构砷化镓
优化压焊工艺QC小组活动与质量的改进
2003年
　主要介绍了QC小组采用先进的工序能力控制技术和6б方法,对压焊工艺进行统计、分析及优化,最后使压焊工艺工序能力指数CPL≥1.33,提高了产品的可靠性。
张怡李应辉毛庆丰
关键词：质量管理工序能力指数可靠性
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0