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张怡

作品数:7 被引量:11H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 3篇耦合器
  • 3篇光电耦合
  • 3篇光电耦合器
  • 1篇电池
  • 1篇折射率
  • 1篇质量管理
  • 1篇气密性封装
  • 1篇线性度
  • 1篇内部水汽含量
  • 1篇可靠性
  • 1篇工序能力
  • 1篇工序能力指数
  • 1篇光电
  • 1篇光电池
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜

机构

  • 7篇重庆光电技术...
  • 3篇电子科技大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 7篇张怡
  • 5篇李应辉
  • 4篇蒋城
  • 1篇毛庆丰
  • 1篇李洪玉
  • 1篇胡琳
  • 1篇刘永智
  • 1篇陈伟
  • 1篇刘爽
  • 1篇张佳宁
  • 1篇肖清惠
  • 1篇龙平

传媒

  • 7篇半导体光电

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2002
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
光电耦合器内部水汽含量控制被引量:6
2005年
分析了光电耦合器内部水汽的来源,在此基础上提出了降低产品内部水汽含量的方法,提高了元器件的质量和可靠性。对比了改进前后产品的内部水汽含量。
胡琳李应辉张怡蒋城
关键词:光电耦合器内部水汽含量
非晶硅薄膜表面形貌和光学性质的工艺研究被引量:3
2010年
采用PECVD在K9玻璃基底上制备了非晶硅薄膜,通过改变射频功率、反应压强和基片温度制得不同的薄膜样品。采用金相显微镜对其表面形貌进行了观察,通过椭圆偏振法测得了不同工艺条件下薄膜样品的折射率、消光率及厚度。结合成膜机理和经典电子理论对测试结果进行分析得到,工艺参数通过表面扩散、原子刻蚀以及基元成分、能量和浓度等中间因素决定着样品的表面形貌和光学性质。
张佳宁刘爽张怡陈伟
关键词:非晶硅PECVD折射率表面形貌
光电池输出型光电耦合器的研制被引量:2
2005年
介绍了一种新型光电耦合器———光电池输出型光电耦合器,器件采用金属化陶瓷D IP6双列直插结构。文章重点描述了该器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简述了其制作工艺。
李应辉龙平蒋城张怡刘永智
关键词:光电池光电耦合器
六路小型集成光电耦合器
2002年
介绍了一种新型六路小型集成光电耦合器。它采用独立腔体分隔技术 ,在 2 4DIP陶瓷双列直插管座内制作而成 ,设计先进、性能可靠 ,具有广阔的应用前景。重点叙述了该器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析 ,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺。
李应辉刘旺节蒋城张怡
关键词:光电耦合器
PIN模块线性度测量方法及测量误差分析
2010年
介绍了一种PIN模块线性度参数测量的典型方法及测量系统,并对测量误差的主要来源进行了分析,阐述了测试系统性能和环境温度变化对测量结果的影响。
张怡李洪玉肖清惠
关键词:线性度测量系统
八路高速光电耦合器的研制
2005年
研制了一种独特的八路高速光电耦合器。器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中。设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰。文章重点描述了器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺。
李应辉张怡蒋城
关键词:气密性封装
优化压焊工艺QC小组活动与质量的改进
2003年
 主要介绍了QC小组采用先进的工序能力控制技术和6б方法,对压焊工艺进行统计、分析及优化,最后使压焊工艺工序能力指数CPL≥1.33,提高了产品的可靠性。
张怡李应辉毛庆丰
关键词:质量管理工序能力指数可靠性
共1页<1>
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