张晓娟
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- MBE生长InGaAs/In_(0.32≤x≤0.52)Al_(1-x)As MM-HEMT材料
- 2003年
- 在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的MetamorphicHEMT(简称MM-HEMT)。通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化,得到了具有良好电学性能的MM-HEMT材料,其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。
- 邱凯张晓娟陈建炉
- 关键词：INGAAS生长温度
- InP-HEMT中复合沟道的设计与生长
- 2003年
- 设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率。在使用In_xGa_(1-x)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能;在使用InAs复合沟道时,得到了二维电子气浓度为2.3×10^(12)/cm^2、室温迁移率高达13600 cm^2/V·s的性能优良的HEMT材料。
- 邱凯张晓娟陈建炉
- 关键词：高电子迁移率晶体管复合沟道
- 在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料
- 利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体材料,并生长了高性能的P沟道HFET材料.
- 邱凯谢自力尹志军张晓娟陈建炉
- 关键词：调制掺杂二维电子气分子束外延
- 文献传递
- MBE生长含应变层InGaAs/GaAs选择掺杂异质二维电子气
- 利用GEN-Ⅱ型进口分子束外延设备生长InGaAs/AlGaAS/GaAs异质结构材料,并进行了材料结构优化设计和材料特性研究,并用于研制PHEMT器件.
- 谢自力邱凯陈建炉张晓娟
- 关键词：半导体材料分子束外延INGAAS/GAAS二维电子气
- 文献传递
