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崔成河

作品数：7 被引量：18H指数：3
供职机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
相关领域：核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇核科学技术

主题

  • 5篇托卡马克
  • 3篇锂
  • 3篇HL-1M装...
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体杂质
  • 2篇内壁
  • 2篇硅化
  • 2篇HL-1M
  • 1篇第一壁
  • 1篇原位处理
  • 1篇涂层
  • 1篇托卡马克装置
  • 1篇硼化
  • 1篇热辐射
  • 1篇放电
  • 1篇氦
  • 1篇HL-1装置

机构

  • 6篇中国核工业集...

作者

  • 6篇严东海
  • 6篇崔成河
  • 5篇王志文
  • 5篇张年满
  • 5篇王明旭
  • 5篇王恩耀
  • 3篇梁雁
  • 2篇洪文玉
  • 1篇曹曾
  • 1篇邓中朝
  • 1篇姚良骅
  • 1篇冉利波
  • 1篇罗俊林

传媒

  • 3篇真空与低温
  • 2篇核聚变与等离...
  • 1篇第九届全国等...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1992
共 7 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
HL-1M装置内壁锂涂覆实验
-1M装置运行期间，一直在探索适合本装置的壁处理技术，分别研究了硼化、硅化和锂涂覆技术。其中，硅化已成为装置的常规壁处理技术，锂涂覆技术还在探索中。该文详细介绍了HL-1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以...
王明旭张年满王志文王恩耀严东海崔成河梁雁
HL-1M 装置原位硅化涂层的研究被引量：6
1998年
ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能。对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质、热辐射和再循环进行了研究，并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。
王明旭张年满王志文王恩耀严东海崔成河梁雁
关键词：等离子体杂质热辐射托卡马克
HL-1M装置第一壁的硅化和锂涂覆被引量：3
1998年
用ＳｉＨ４与Ｈｅ混合气体辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉光放电的等离子体气相沉积法，对ＨＬ－１Ｍ装置的内壁，分别进行硅化和锂涂覆。这些处理进一步降低了硼化后装置的杂质和辐射功率损失，对氢有强抽气效应和低再循环特性，为多发弹丸注入、低混杂波电流驱动和长脉冲放电等物理实验取得重大成果提供了重要条件。
张年满王恩耀王明旭洪文玉崔成河王志文严东海
关键词：硅化等离子体杂质托卡马克
HL-1M的原位处理技术被引量：2
1999年
介绍 Ｈ Ｌ－ １ Ｍ 托卡马克装置的壁处理技术。使用氦辉光放电清洗清除装置杂质和降低壁中氢含量，壁硼化和硅化技术以及原位沉积膜的原位清除。
王志文王恩耀张年满王明旭严东海崔成河
关键词：硼化硅化托卡马克原位处理
HL-1装置交流放电碳化实验被引量：3
1992年
一种交流放电原位碳化技术首次在HL-1装置环形真空室内壁进行了试验。碳沉积膜样品作了扫描电镜,俄歇电子能谱和二次离子能谱深度轮廓和成分分析。壁碳化前后托卡马克放电杂质可见光谱和真空紫外光谱强度对照分折表明,碳化壁状态下,孔烂和金属壁材料Mo和Cr等在等离子体中含量下降80％左右,而C,O等轻杂质量有所上升;氢粒子约束时间τ_p和再循环率系数R较裸金属壁状态大致增加20％。碳化壁经惰性气体He或Kr放电锻炼后,在托卡马克放电中壁表面显示出明显的抽吸作用。
姚良骅严东海洪文玉曹曾崔成河张述勋罗俊林邓中朝冉利波孙守祁
关键词：托卡马克放电
HL-1M装置内壁锂化实验进展被引量：5
2001年
针对聚变装置在聚变研究中的器壁原位处理问题，详细地描述了 HL－ 1M装置原位锂化技术和锂涂层性能及其锂化效果，并探讨了锂化机理。指出了这种锂化工艺存在的缺陷。
王明旭张年满王志文王恩耀严东海崔成河梁雁
关键词：HL-1M装置托卡马克装置内壁
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