王明旭
- 作品数：88 被引量：67H指数：5
- 供职机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：核科学技术一般工业技术理学石油与天然气工程更多>>
- HL-2A装置送气和加料的脱靶特性被引量：6
- 2008年
- HL-2A装置辐射偏滤器实验采用边缘补充送气和分子束加料等方法来提高主等离子体密度,降低边缘等离子体温度、增加辐射功率分额,获得脱靶等离子体。偏滤器室内进行主动补充送气或者注入惰性气体杂质,降低偏滤器等离子体温度,获得脱靶等离子体,并首次获得了超声分子束注入产生脱靶等离子体的实验结果。利用HL-2A装置偏滤器同一极向截面内外中性化板上安装的嵌入式探针阵列和偏滤器室安装的电动探针系统,测量了偏滤器靶板上和偏滤器室的等离子体参数及其分布,并进行了相关分析和改善约束以及偏滤器脱靶等离子体运行模式下等离子体行为的研究。
- 洪文玉严龙文程均赵开君钱俊王明旭
- 氘离子束轰击石墨引起化学腐蚀的实验进展
- 1999年
- 在ＳＭＦ－８００ 石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上，进一步测试了Ｇ３ 石墨、ＳＭＦ－８００ 高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ涂层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ 氘离子束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２ 氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００ 石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４ 产额较ＳＭＦ－８００ 高纯石墨的降低一个数量级以上，ＣＤ４ 产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法，初步观察了氘离子束轰击下石墨释放ＣＤ４ 的角分布特性，为托卡马克先进偏滤器实验中确立ＣＤ４
- 朱毓坤王明旭王志文邓冬生
- 关键词：石墨涂层化学腐蚀托卡马克第一壁离子轰击
- 一种复合多管道三通结构组件
- 本实用新型属于一种管道结构组件，具体涉及多种气体输运以及复合管道结构的三通结构组件。它包括包容管道，包容管道内设有送气管道，排空管道和内部支撑结构，所述的每根送气管道和排空管道都是独立的实现了三通，每根送气管道和排空管道...
- 江涛李波李伟王明旭潘宇东
- 文献传递
- 新型多元掺杂面对等离子体碳基材料的性能研究
- 2002年
- 对方案和机理的研究 ,在国内相关单位采取优势互补的方法进行合作 ,基于理论和实验 ,得出了高强度、高热导、低溅射掺杂石墨和碳 碳 (C C)复合材料的最佳配方 ;合适的工艺路线和工艺参数 ;掺杂石墨热导率提高 4倍以上 ;化学溅射产额下降 1个数量级 ;抗辐照增强升华和热解吸均有明显改善 ;抗等离子体辐照综合性能亦有较大提高 ,经受 1 0
- 许增裕刘翔谌继明王明旭宋进仁翟更太李承新
- 关键词：C/C复合材料聚变堆石墨
- HL—1M装置第一壁锂—硅复合涂层及其对等离子体性能的影响
- 2001年
- 最近在HL－1M装置上新开发出一种第一壁原位锂－硅复合涂覆技术，涂覆后，装置真空室内的真空度上升，杂质气体分压强下降，低于单一的硅化和锂涂覆，在相同参数的放电下与原位硅化比较：托卡马克放电中等离子体中碳，氧杂质浓度下降30％，尤其是碳杂质随等离子体米幅度上升而下降得更显著；等离子体能量辐射损失降低25％；同时，等离子体边缘温度和密度有所降低，表明等离子体内部约束得到改善，这些结果略好于或者与单一原位锂涂覆相同，但是这种复合涂层的效果却维持100余次托卡马克放电，较单一原位锂涂层提高了一个数量级，实验证明了这种锂－硅复合涂覆技术卓越的性能。
- 王明旭张年满等
- 关键词：HL-1M装置第一壁等离子体托卡马克装置
- 接触热阻对水冷辉光放电电极温度分布影响的数值模拟
- 2023年
- 为了研究接触热阻对陶瓷绝缘水冷辉光放电电极温度及其分布的影响,利用计算流体动力学软件ANSYS CFX,模拟了电极表面温度、温差随氮化铝陶瓷与两侧铜导体之间接触热阻的变化。模拟结果表明:随着接触热阻的增大,氮化铝陶瓷与铜接触界面的温度跳变幅度增大,辉光放电电极整体温度上升,并且辉光放电电极表面的最高温度和最大温差均随之呈现指数上升的变化趋势。
- 郝郁李伟王明旭李波
- 关键词：接触热阻温度分布
- HL-1M装置器壁锻炼
- 2002年
- HL-1M装置运行的7年中，系统地研究了器壁原位清洗、原位硼化、硅化、锂化和锂-硅复合处理以及涂层的原位清除技术。由于原位硅化具有稳定、良好的杂质和再循环控制能力，使其成为HL-1M装置进行改善等离子体约束实验必不可少的壁处理手段。锂-硅复合壁具有锂壁的低杂质、低氢再循环和低辐射能量，又具有硅化壁长寿命的特点，是目前最佳的壁处理手段。He-GDC取代了H2-TDC，在器壁原位清洗、器壁原位处理和涂层原位清除中扮演了重要角色。
- 王明旭张年满王志文邓冬生严东海崔成和梁雁王恩耀刘永朱毓坤
- 关键词：HL-1M装置硅化再循环涂层
- HL-1M托卡马克中的硼化被引量：3
- 1998年
- 用碳硼烷加氦直流辉光放电，在ＨＬ－１Ｍ托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜，平均厚度５０—７０ｎｍ，硼碳比约为１６。硼化后器壁条件有了本质的改善，对器壁上氧源的抑制特别显著，也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻的能力。硼化显著改善了等离子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小，放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。
- 张年满王恩耀王明旭洪文玉王志文崔成和梁艳
- 关键词：硼化托卡马克装置
- 强磁场下高抗干扰能力、快响应真空规的研制进展
- 2002年
- 在托卡马克放电过程中，由于等离子体与壁相互作用，使器壁迅速释放大量杂质粒子和燃料气体，增加等离子体杂质浓度和氢再循环，严重影响等离子体的稳定性；在偏滤靶附近，中性粒子密度则决定了辐射滤器以及脱离靶等偏滤器等运行模式，为此，特定位置的中性粒子的密度、通量密度等成为等离子体与壁相互作用研究非常重要的参数。
- 王明旭李波杨志刚张年满吴继红
- 关键词：强磁场相互作用托卡马克偏滤器
- 一种低温冷屏的穿透部件
- 本实用新型涉及一种低温冷屏的穿透部件，包括贯穿冷屏的，与主真空室壁连接件密封固定并保持连通的送气管道；套装在送气管道外部的，贯穿冷屏的，与主真空室壁连接件密封固定连接的包容管道；套装在主真空室壁连接件和冷屏之间的包容管道...
- 江涛李波李伟王明旭
- 文献传递
