周全德
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国上海测试中心更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程化学工程更多>>
- 薄层电阻标样及Mapping在IC制造中的应用研究被引量：1
- 2000年
- 提出对集成电路在线监控中使用相关薄层电阻标样的必要性和重要性。着重介绍了薄层电阻标样和 Mapping技术在验证仪器各档测量薄层电阻误差 ,对外延生长工艺监控 ,判断离子注入退火后薄层电阻均匀性差的原因 ,监视扩散炉内部温度与气流对扩散影响和监控溅射铝层厚度质量等应用。
- 周全德
- 关键词：薄层电阻标样集成电路
- 硅片少子寿命的直排四探针测试被引量：6
- 2001年
- 用直排四探针方法测试硅抛光片的电阻率时 ,减少表面复合和增大测试电流故意引进注入使电阻率减少 ,根据电导率与少数载流子寿命成正指数增加的关系 。
- 周全德
- 关键词：少子寿命硅片
- 直排四探针电阻率硅圆片非圆心点直径修正因子F_2的简易求法被引量：2
- 1993年
- 介绍Si片电阻率和薄层电阻的四探针法测量中,一种简便而精确的求非圆心处F_2值的方法.
- 周全德赵向娅孙月珍
- 关键词：电阻率
- IC离子注入工艺的薄层电阻等值图监控被引量：3
- 2000年
- 主要介绍了测试薄层电阻等值图所反映出 IC离子注入工艺存在的种种问题 ,以及改进结果和进行有效的监控 ,这对 IC生产是非常重要的。
- 周全德
- 关键词：薄层电阻离子注入集成电路工艺
- 研制国产硅晶体间隙氧含量标准物质
- 朱丽娜周全德宗龙章
- 该项目主要研制的是用于傅立叶红外光谱仪测试的硅晶体间隙氧含量标准物质。该项目研制的氧含量标准物质，是按照美国NIST氧含量标准制备要求和标准测试方法ASTM F1188-93a，结合我国国家测试标准国标标准GB1557-...
- 关键词：
- 关键词：硅晶体标准物质
- ρ、Rs的Mapping测试在硅片生产上的应用被引量：2
- 1999年
- 周全德
- 关键词：硅片RS
- LSI用φ100mm硅片特性分析
- ＜正＞该成果是上海市重点科技攻关项目"LSI-MOS用φ100mm硅片国产化及质量规范的研究"中的主要内容之一,是一项对LSI用φ100mm硅片特性评价的综合性测试分析,其中包括硅片的微区结构、微区电性、宏观电性、氧碳含...
- 张家坚陈春仙吴泳章周全德赵向娅谢启耀
- 文献传递
- 电阻率标样的正确使用和保养
- 2000年
- 周全德
