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HMDSO/H_2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究被引量：1: 2006年; 本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米-αSiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy∶H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了-αSiC晶体的形成。; 颜官超丁斯晔朱晓东周海洋温晓辉丁芳; 关键词：纳米 HMDSO

PCVD宽带隙薄膜及其化学键结构演变: 本论文主要在等离子体化学气相合成碳-硅基宽带隙薄膜材料和合成薄膜的化学键结构演变及控制二个方面展开研究工作。另外，还研究了金刚石的一次和二次成核过程及对金刚石薄膜生长的影响。在等离子体增强热丝化学气相沉积(P...; 颜官超; 关键词：PCVD 化学键气相沉积; 文献传递

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颜官超