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丁斯晔

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇纳米
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇非晶
  • 1篇SIC
  • 1篇SIC薄膜
  • 1篇HMDSO

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇周海洋
  • 1篇温晓辉
  • 1篇丁斯晔
  • 1篇丁芳
  • 1篇朱晓东
  • 1篇颜官超

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
HMDSO/H_2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究被引量:1
2006年
本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米-αSiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy∶H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了-αSiC晶体的形成。
颜官超丁斯晔朱晓东周海洋温晓辉丁芳
关键词:纳米HMDSO
共1页<1>
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