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陈慧凯

作品数:10 被引量:5H指数:1
供职机构:山东大学更多>>
相关领域:电子电信文化科学自动化与计算机技术经济管理更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇电路
  • 5篇集成电路
  • 3篇计算机
  • 3篇计算机辅助设...
  • 3篇辅助设计
  • 2篇计算机模拟
  • 2篇溅射
  • 2篇仿真
  • 1篇电路设计
  • 1篇亚微米
  • 1篇中国入世
  • 1篇入世
  • 1篇深亚微米
  • 1篇实用化
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏元件
  • 1篇助教
  • 1篇专用集成电路
  • 1篇微米
  • 1篇离子溅射

机构

  • 9篇山东大学
  • 2篇济南教育学院
  • 1篇山东工业大学

作者

  • 10篇陈慧凯
  • 4篇李惠军
  • 2篇张新
  • 2篇陈慧力
  • 1篇洪德斌
  • 1篇赵攀岭
  • 1篇邢建平
  • 1篇蒋霞
  • 1篇裘南畹
  • 1篇孙静静
  • 1篇薛振华

传媒

  • 2篇山东教育学院...
  • 2篇山东科学
  • 2篇计测技术
  • 1篇电子质量
  • 1篇山东工业大学...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇山东大学学报...

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2004
  • 4篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇1999
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
中国入世之后高等教育改革的取向被引量:1
2002年
本文就我国入世之后高等教育改革的取向进行了探讨。提出要深化高等教育改革 ,调整专业设置结构、人才层次结构 ;以激励创新的教育观念来构建新的教育模式 ,突出人才培养的个性化和多元化 ;加快教学方法的改革 ,更新和充实教学内容。
陈慧凯陈慧力蒋霞
关键词:入世教育改革高等教育教育模式教育结构
Raphael-深亚微米集成互连参数仿真优化系统
2002年
针对超深亚微米层次下的金属互连设计,使用Raphael(集成布线互连)仿真系统完成了互连寄生效应参数的提取。介绍了Raphael仿真系统的主要功能及基本应用,并分析了常规集成布线互连参数模型。采用二层跨越式互连结构,对寄生电阻、电容参数进行了仿真,并得到电流密度的分布结果。这些参数的提取及验证对电路的布局设计是十分重要的。
陈慧凯赵攀岭李惠军
关键词:仿真集成电路计算机辅助设计寄生参数
TSUPREM-4二维集成电路工艺仿真系统及其应用
2002年
本文介绍了当前最新版本 TSUPREM- 4二维集成电路工艺仿真系统并使用该系统进行了杂质分凝行为等多项仿真应用 ,完成了对杂质分凝行为的定量分析。
陈慧凯
关键词:集成电路仿真计算机辅助设计计算机模拟
MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真
2002年
使用TSUPREM - 4二维集成电路工艺仿真系统对P -MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真 以数据方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为 。
陈慧凯邢建平
关键词:MOSFET计算机辅助设计计算机模拟集成电路
δ-函数在离子溅射热峰效应中的应用
1999年
热峰效应发生在离子束注入及激光表面材料处理过程中.引进了δ函数来描述热峰在离子溅射中的效应,从经典的热传导方程出发,对球形热峰效应及圆柱形热峰效应作了特别讨论。
陈慧力陈慧凯
关键词:离子注入
集成电路设计产业的发展被引量:1
2001年
分析了当代集成电路设计领域的产生性质基础 ,针对我国科技发展对集成电路设计产业的技术水平和规模进程的需求 。
陈慧凯张新李惠军
关键词:集成电路专用集成电路电路设计
论计算机辅助教学——计算机辅助教学课件的开发及开发平台被引量:2
2001年
本文在阐述计算机辅助教学丰富内涵的基础上 ,论述了计算机辅助教学课件的开发及开发手段。
陈慧凯张新李惠军
关键词:教学改革计算机辅助教学CAI课件开发
ZnO薄膜气敏元件被引量:1
2006年
通过在Al2O3衬底上粉末溅射ZnO做出了气敏特性和稳定性较好的ZnO薄膜气敏元件,实现ZnO薄膜的实用化,表明了ZnO是除SnO2外又一种新的气敏基材料。文中还对ZnO薄膜有关气敏特性和元件的气敏电流IG随酒气浓度C变化的规律进行了介绍。
孙静静陈慧凯裘南畹李东华卫东
关键词:ZNO实用化
粉末溅射平面薄膜型SnO_2/CeO_2酒敏元件性能测试
2006年
给出了SnO2/10%CeO2(0.4 mm×0.6 mm×0.4 mm)元件的温耗特性曲线,研究了老化的温度和时间,研究了气敏电流Ig与气体浓度C的关系,并给出了一个普遍适用的规律。
洪德斌陈慧凯孙玉珍于宗智马捷
VDSM ULSI布局布线优化设计研究
2004年
本文基于超大规模集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次下的金属互连(Interconnects)特 性,研究并提出了布局布线优化步骤:局部布局和搜索提炼、轨道分配和搜索修补。并结合synopsys公 司的超深亚微米布局布线系统APOLLO-Ⅱ有效地解决了金属互连的拥挤和时序问题。
薛振华李惠军陈慧凯
关键词:超大规模集成电路超深亚微米金属互连布局布线VDSMULSI
共1页<1>
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