裘南畹
- 作品数：41 被引量：46H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 新型金属氧化物薄膜气敏元件基材料的开发
- 2009年
- 根据电导气敏机理的氧负离子理论,提出制备n型金属氧化物气敏基材料的理论,指出禁带宽度Eg>2 eV的金属氧化物材料都有可能研制薄膜气敏元件,并通过Fe2O3/1 %Sb2O3和TiO2薄膜元件的制备和表征,论证了该理论的正确性.
- 田芳张颖欣张礼侯秀萍裘南畹
- 关键词：金属氧化物
- 金属氧化物气敏薄膜的厚度效应
- 对扩散反应方程的求解和无量钢分析指出了响应时间和恢复时间随膜厚、气体浓度变化的关系式。由于气敏晶体尺寸r<,0>→0时不能满足热力学极限，于是对Fermi统计公式提出了修正，并由此推出了最佳晶粒尺寸r<...
- 刘文利李宇兵李蕾高建华裘南畹
- 关键词：扩散反应方程晶体晶粒尺寸金属氧化物
- 粉末溅射平面薄膜型SnO_2／CeO_2酒敏传感器被引量：17
- 1996年
- 介绍粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度和掺杂量等关系的研究结果，并根据此结果对平面薄膜型酒敏传感器的工艺和结构进行的设计；介绍所研制器件的一些性能，并对有关问题进行讨论。
- 李建明刘文利裘南畹吕红浪
- 关键词：粉末溅射传感器二氧化锡二氧化铈
- ZnO薄膜气敏元件被引量：1
- 2006年
- 通过在Al2O3衬底上粉末溅射ZnO做出了气敏特性和稳定性较好的ZnO薄膜气敏元件,实现ZnO薄膜的实用化,表明了ZnO是除SnO2外又一种新的气敏基材料。文中还对ZnO薄膜有关气敏特性和元件的气敏电流IG随酒气浓度C变化的规律进行了介绍。
- 孙静静陈慧凯裘南畹李东华卫东
- 关键词：ZNO实用化
- 粉末溅射平面薄膜型SnO_2／CeO_2酒敏元件被引量：1
- 2006年
- 介绍了用粉末溅射做出的两种平面薄膜型酒敏元件的工艺、芯片结构和基本参数测试的结果。
- 刘晓健曲鲁李东华卫东裘南畹
- 关键词：粉末溅射
- 一种微型平面薄膜型酒敏器件的研制被引量：1
- 2004年
- 粉末溅射有制靶简单、掺杂容易的特点 ,并有掺杂稳定的优点。利用反溅 ,发展了粉末溅射 ,制备了酒敏微型平面薄膜。对薄膜的相关特性进行了研究 ,给出了薄膜最佳掺杂范围、最佳灵敏度的膜厚以及响应时间与恢复时间随膜厚变化的规律 ,总结了最优参数。又测试了器件性能 ,通过实验对影响灵敏度测试的条件如测试电压和湿度影响灵敏度的规律进行了分析和讨论。结论认为 ,所研制的粉末溅射微型薄膜酒敏器件性能可靠、灵敏度高、稳定性好。
- 邢建平蔡成森李娟裘南畹
- 关键词：粉末溅射
- 金属氧化物半导体气敏特性研究（Ⅰ）实验研究（待续）
- 1996年
- 研究了气敏电导次方定律的指数和灵敏度随薄膜样品膜厚的变化、随温度的变化；气敏电导响应时间和恢复时间随膜厚的变化、随温度的变化；气敏电导振荡现象和规律．
- 刘文利李建明吕红浪裘南畹
- 关键词：气敏器件金属氧化物半导体气敏特性
- 金属氧化物半导体气敏特性的研究──（Ⅱ）理论研究（续一）被引量：1
- 1996年
- 本文介绍金属氧化物气敏特性研究的概况，以及我们最近完成的两个理论框架：①反应动力学理论；②扩散反应理论．
- 李建明吕红浪刘文利裘南畹
- 关键词：金属氧化物气敏特性半导体
- 金属氧化物半导体气敏特性的研究──（Ⅲ）实用化研究（续二，续完）
- 1996年
- 本文从实验和理论上对用粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度、掺杂量等进行了研究，并根据研究的结果和有关理论对平面薄膜型酒敏传感器的工艺和结构进行了设计；介绍了所研制的器件的一些性能．
- 吕红浪刘文利李建明裘南畹
- 关键词：金属氧化物半导体气敏特性
- ZnO多孔陶瓷气敏电导的渗流模型被引量：1
- 1989年
- 在AET(Adsorption Effect Transistor)模型的基础上引入渗流模型,建立了对多孔陶瓷气敏材料电导进行数量估算的理论方法,并通过ZnO材料气敏电导的计算,对电阻随气体浓度变化的次方定律提出了更合理的解释。渗流模型对多孔陶瓷气敏电导具有更大的合理性,AET模型可作为渗流模型的特例。计算结果与现有的实验结果一致。
- 赵超李建明裘南畹
- 关键词：陶瓷半导体渗流模型
