袁庆华
- 作品数：11 被引量：34H指数：2
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- 相关领域：理学电子电信环境科学与工程自动化与计算机技术更多>>
- 反应动力学理论和n型金属氧化物E_F的变化范围被引量：1
- 2006年
- 首先,提出了一种用化学反应动力学来研究半导体点缺陷浓度统计分布的理论;其次,用这个理论来研究了有2次施主能级的n型金属氧化物费米能级EF,给出EF的下限EFm为Ed2-RTln2;第三,用泊松方程的解和电中性方程来估算费米能级,得出EF的上限EFM为Ed1-RTln2.
- 袁庆华刘晓健李蕾裘南畹
- 关键词：反应动力学点缺陷
- 气敏元件闭室测试中气体浓度的变化
- 2006年
- 给出气敏元件反应放热率Prea的公式,并由此给出在闭室测试中气体浓度C随时间变化的微分方程.通过求解微分方程给出的浓度C随时间变化曲线,表明了气体的浓度衰减很慢,而由此带来的误差一般可以忽略.
- 袁庆华高红裘南畹
- 关键词：气敏元件
- 用力敏传感器测液体表面张力系数的误差分析被引量：27
- 2003年
- 分析了采用力敏传感器测量液体表面张力系数实验误差的主要来源 ,给出了计算公式和测量结果 ,并提出了改进建议 .
- 夏思淝刘东红孙建刚袁庆华
- 关键词：力敏传感器表面张力系数测量方法误差分析拉脱法
- 微型薄膜气敏元件芯片的传热系数和热功耗被引量：1
- 2005年
- 热功耗是关系到气敏元件的应用、热特性分析和工艺设计的重要参数 ,至今无计算气敏薄膜元件热功耗的实用公式 ;在研究微型薄膜气敏元件引线的散热量 ,芯片传热系数随芯片尺寸和温度变化的规律的基础上 ,给出了热功耗的相关计算方法和公式 ,据此计算得出微型薄膜气敏元件的热功耗数值 。
- 邢建平袁庆华蔡成森李娟裘南畹
- 关键词：气敏元件传热系数
- 采用粉末溅射的薄膜型气敏元件与测试特性
- 2004年
- 利用粉末溅射,研究了SnO2/CeO2微型平面薄膜.结果表明:薄膜最佳掺杂范围(5%-20%)、最佳灵敏度膜厚(150 nm)、响应时间与恢复时间随膜厚变化遵循次方定律;制备出稳定性好的气敏元件,灵敏度S为20-80,对航空汽油气选择性Sl为8-20,响应时间τs<10 s,恢复时间τc<15 s.并对影响灵敏度测试的条件,例如测试电压、湿度影响、反应温变等进行了分析.
- 邢建平蔡成森滕丽丽袁庆华裘南畹
- 关键词：电子技术粉末溅射气敏元件
- 气敏元件闭室测试中气体浓度变化的特征被引量：1
- 2006年
- 给出了气敏元件反应放热率Prea的公式,并由此给出在闭室测试中气体浓度C随时间变化的微分方程。通过求解微分方程给出浓度C随时间变化的曲线,表明了气体的浓度衰减很慢,而由此带来的误差一般可以忽略。
- 周磊邢建平袁庆华高红
- 关键词：气敏元件
- N型金属氧化物泊松方程的解和费米能及E_f的变化范围 Ⅰ泊松方程解被引量：2
- 2005年
- 提出了任意形状、无量纲n晶体的Poisson方程:d2Ψ/dy2+η-1/y dΨ/dy=1-Re-Ψ(η=1～3,0≤R≤1),其中通过引入耗散系数R隔断了泊松方程贺电中性方程的耦合.通过用参量展开的微扰理论,对泊松方程进行了级数求解,并对微扰论方法的优越性进行了讨论.
- 袁庆华刘文利李蕾李建明裘南畹
- 关键词：泊松方程微扰理论
- SnO_2/CeO_2表面反应速率方程和分子反应几率被引量：1
- 2005年
- 介绍了反应温变测试装置原理及其实验规律,利用粉末溅射平面薄膜型SnO2/CeO2酒敏传感器测试了反应温变;并用内插法给出了反应温变随酒气气体浓度变化的规律.对表面反应速率方程进行了推导,并对分子表面反应的几率进行了计算.给出了普遍的反应速率方程,它包括了两种常用的经验公式:双曲线型和幂函数型公式;同时得到了分子反应几率是小的概念,其值一般为10-3～10-5.
- 于萍宋远锋袁庆华王蕾蕾李建明裘南畹
- 关键词：反应速率
- 特征时间规律的扩散反应理论
- 2006年
- 提出了多孔气敏薄膜电导响应扩散反应模型;通过求解和无量纲分析扩散反应方程给出了τs和τc的规律,τc=τs/r=(2/π)2kCr0-1l2/D;通过理论与实验相结合的方法研究表面吸附指数γ和吸附能Ea.实验结果表明:C2H5OH在ZnO薄膜材料上的吸附特性有下面的特点:①有两个不同温区,高于380℃和低于380℃的物理吸附能不同;②物理吸附能较大.
- 李蕾袁庆华刘文利李建明裘南畹
- 纳米金属氧化物气敏薄膜厚度效应的实验规律和理论被引量：1
- 2005年
- 给出了动态厚度效应特征时间的公式,灵敏度Sn与膜厚l的关系和存在最佳膜厚的特征,电导激活能随膜厚变化的特征。提出了发展气敏机理的扩散反应功能概念;提出了在纳米气敏晶粒中引入介观效应概念和修正Fermi统计的要求。
- 袁庆华李蕾刘文利李建明裘南畹
