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郑少金

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅衬底
  • 1篇埋栅
  • 1篇金属
  • 1篇金属-半导体...
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘
  • 1篇硅衬底
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇4H-SIC
  • 1篇MESFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇郑少金
  • 1篇吕红亮
  • 1篇张甲阳
  • 1篇王德龙
  • 1篇张睿
  • 1篇郭辉
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
金属－半导体场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种在碳化硅中形成的金属－半导体场效应晶体管，主要解决器件制作过程中在表面形成的表面陷阱问题。该晶体管包括：半绝缘型碳化硅衬底(1)、p型碳化硅缓冲层(2)、n型碳化硅导电沟道层(3)、n+盖帽层(5)，源极...
吕红亮张睿张玉明张义门郭辉郑少金王德龙张甲阳
文献传递
埋栅—埋沟4H-SiC MESFET结构优化研究
SiC材料由于具有大的禁带宽度,高的电子饱和速度,高的临界击穿电场以及高的热导率等性能,在高温,抗辐照,高功率等工作条件下具有明显的优势,成为近年来半导体领域研究的热点,并且在交通,通信,能源和国防领域中有广阔的应用前景...
郑少金
关键词：4H-SICMESFET埋栅
文献传递
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