公共文化服务平台

共 8 条记录，以下是 1-8

全选清除导出

排序方式：

Exciton-Phonon Coupling of NN_3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP: 2004年; Under heavy nitrogen doping,due to the “concentration quenching” effect,the full spectrum of the NN 3 center is revealed without the interference from the spectra of other higher energy centers.This investigation offers a direct proof for that all the phonon replicas are the phonon sidebands governed by the Huang Rhys’ multiphonon optical transition theory.; 高玉琳吕毅军郑健生张勇A.Mascarenhas辛火平杜武青; 关键词：PHOTOLUMINESCENCE

氮离子注入金刚石薄膜的研究: 1997年; 采用Raman光谱、四探针法、X射线衍射(XRD)、Rutherford背散射谱(RBS)、Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等手段研究了不同能量不同剂量的N^+注入对CVD金刚石膜的结构和电学性质的影响.; 辛火平林成鲁王建新邹世昌石晓红林梓鑫周祖尧刘祖刚; 关键词：氮离子注入金刚石薄膜 RAMAN光谱电学性质

β－C_3N_4──一种新型的超硬材料被引量：1: 1995年; 对于一种硬度可能超过金刚石的新型超硬材料β－Ｃ３Ｎ４的研究已经成为国际上材料科学研究的一个热点；文章综述了目前国际上研究β－Ｃ＿３Ｎ＿４材料的现状及所取得的一些进展。; 辛火平林贤林成鲁邹世昌; 关键词：超硬材料氮化碳

SrTiO_3（110）上水热法外延生长PbTiO_3薄膜: 1995年; 利用低温水热合成工艺，在一定浓度比的Ｐｂ（ＮＯ）＿３，ＴｉＣｌ＿４的混合强碱性水溶液中，和在（１２０℃，０．２５ＭＰａ）的水热反应条件下，首次成功地在ＳｒＴｉＯ＿３（１１０）单晶衬底上生长出具有（１１０）面织构的ＰｂＴｉＯ＿３外延薄膜。Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃ）分析表明薄膜外延质量较高，沟道最低产额（Ｘ＿（ｍｉｎ））达０．４２。; 许华平郑立荣辛火平林成鲁; 关键词：铁电薄膜水热合成

Pb（Zr_（0．52）Ti_（0．48））O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积: 1995年; 用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理。ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现铁电性，其剩余极化Ｐｒ＝１５μｃ／ｃｍ￣２，矫顽电场Ｅｃ＝５０ｋＶ／ｃｍ；并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。; 郑立荣陈逸清许华平辛火平宋世庚林成鲁; 关键词：PZT 铁电薄膜脉冲激光沉积快速退火

GaP_(1-x)N_x混晶中新束缚态的研究被引量：2: 2004年; 利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列CaP_(1-x)N_x混晶的光学性质。GaP_(1_x)N_x混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带降降低的趋势。测量结果显示,在组分x≥0.24％的样品的发光谱中NN_1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,对其激活能的拟合及对时间衰退发光谱的分析表明,新的束缚态一方面仍保留有N束缚激子的性质,另一方面又表现出有别于NN对束缚激子的发光机制。说明新的束缚态有可能由新的N原子组成(如NNN原子)或与NN对束缚激子存在着某种相互作用。; 吕毅军高玉琳林顺勇郑健生张勇MascarenhasA辛火平杜武青; 关键词：混晶激活能

水热合成BaTiO_3薄膜及其微观结构分析被引量：3: 1997年; 利用水热反应，成功地在１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜（ＳＥＭ）观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ．对比快速热退火（ＲＴＡ）前后薄膜的扩展电阻深度分布、ＳＥＭ形貌象和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱发现：薄膜吕多层结构，退火前为立方ＢａＴｉＯ３／非晶ＢａＴｉＯ３－ｘ／Ｔ／Ｓｉ．退火后变为四方ＢａＴｉＯ３／Ｔｉ／Ｓｉ。; 许华平辛火平林成鲁江富民殷庆瑞孟繁德; 关键词：水热法微观结构钛酸钡

GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%～3.1%)发光复合机制的研究: 2004年; 利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.; 吕毅军高玉琳林顺勇郑健生张勇Mascarenhas A辛火平杜武青; 关键词：发光激活能

全选清除导出

共1页<1>

辛火平