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许华平
作品数:
4
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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相关领域:
理学
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电子电信
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合作作者
林成鲁
中国科学院上海硅酸盐研究所
辛火平
中国科学院上海硅酸盐研究所
郑立荣
中国科学院上海冶金研究所上海微...
陈逸清
中国科学院上海冶金研究所上海微...
孟繁德
中国科学院上海硅酸盐研究所
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应用科学学报
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集成铁电存储器──新型快速、抗辐照、非挥发性存储器件
被引量:1
1996年
本文介绍了铁电存储器的原理,对非挥发性铁电存储的研究和开发情况作了综述。并就制约着铁电集成器件真正商业化的若干铁电薄膜材料物理方面关键问题作了分析。首先提出了在铁电集成器件工艺中还存在着综合优化问题。最后,对铁电存储器的未来作了预测。
许华平
郑立荣
陈逸清
林成鲁
邹世昌
关键词:
存储器件
铁电存储器
抗辐照
Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积
1995年
用ArF脉冲准分子激光在SOI和Pt/SOI衬底上沉积了Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜,并用快速退火进行热处理。x射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明:所结晶的薄膜是以(100)和(110)为主要取向的多晶膜,且结晶情况与热处理温度和时间密切相关;PZT薄膜呈现铁电性,其剩余极化Pr=15μc/cm ̄2,矫顽电场Ec=50kV/cm;并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。
郑立荣
陈逸清
许华平
辛火平
宋世庚
林成鲁
关键词:
PZT
铁电薄膜
脉冲激光沉积
快速退火
SrTiO_3(110)上水热法外延生长PbTiO_3薄膜
1995年
利用低温水热合成工艺,在一定浓度比的Pb(NO)_3,TiCl_4的混合强碱性水溶液中,和在(120℃,0.25MPa)的水热反应条件下,首次成功地在SrTiO_3(110)单晶衬底上生长出具有(110)面织构的PbTiO_3外延薄膜。Rutherford背散射/沟道(RBS/C)分析表明薄膜外延质量较高,沟道最低产额(X_(min))达0.42。
许华平
郑立荣
辛火平
林成鲁
关键词:
铁电薄膜
水热合成
水热合成BaTiO_3薄膜及其微观结构分析
被引量:3
1997年
利用水热反应,成功地在160℃的低温下,直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶BaTiO3薄膜。扫描电镜(SEM)观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约100nm.对比快速热退火(RTA)前后薄膜的扩展电阻深度分布、SEM形貌象和X射线衍射(XRD)谱发现:薄膜吕多层结构,退火前为立方BaTiO3/非晶BaTiO3-x/T/Si.退火后变为四方BaTiO3/Ti/Si。
许华平
辛火平
林成鲁
江富民
殷庆瑞
孟繁德
关键词:
水热法
微观结构
钛酸钡
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