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作者

  • 4篇林成鲁
  • 4篇许华平
  • 3篇郑立荣
  • 3篇辛火平
  • 2篇陈逸清
  • 1篇宋世庚
  • 1篇殷庆瑞
  • 1篇邹世昌
  • 1篇孟繁德

传媒

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  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1995
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
集成铁电存储器──新型快速、抗辐照、非挥发性存储器件被引量:1
1996年
本文介绍了铁电存储器的原理,对非挥发性铁电存储的研究和开发情况作了综述。并就制约着铁电集成器件真正商业化的若干铁电薄膜材料物理方面关键问题作了分析。首先提出了在铁电集成器件工艺中还存在着综合优化问题。最后,对铁电存储器的未来作了预测。
许华平郑立荣陈逸清林成鲁邹世昌
关键词:存储器件铁电存储器抗辐照
Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积
1995年
用ArF脉冲准分子激光在SOI和Pt/SOI衬底上沉积了Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜,并用快速退火进行热处理。x射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明:所结晶的薄膜是以(100)和(110)为主要取向的多晶膜,且结晶情况与热处理温度和时间密切相关;PZT薄膜呈现铁电性,其剩余极化Pr=15μc/cm ̄2,矫顽电场Ec=50kV/cm;并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。
郑立荣陈逸清许华平辛火平宋世庚林成鲁
关键词:PZT铁电薄膜脉冲激光沉积快速退火
SrTiO_3(110)上水热法外延生长PbTiO_3薄膜
1995年
利用低温水热合成工艺,在一定浓度比的Pb(NO)_3,TiCl_4的混合强碱性水溶液中,和在(120℃,0.25MPa)的水热反应条件下,首次成功地在SrTiO_3(110)单晶衬底上生长出具有(110)面织构的PbTiO_3外延薄膜。Rutherford背散射/沟道(RBS/C)分析表明薄膜外延质量较高,沟道最低产额(X_(min))达0.42。
许华平郑立荣辛火平林成鲁
关键词:铁电薄膜水热合成
水热合成BaTiO_3薄膜及其微观结构分析被引量:3
1997年
利用水热反应,成功地在160℃的低温下,直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶BaTiO3薄膜。扫描电镜(SEM)观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约100nm.对比快速热退火(RTA)前后薄膜的扩展电阻深度分布、SEM形貌象和X射线衍射(XRD)谱发现:薄膜吕多层结构,退火前为立方BaTiO3/非晶BaTiO3-x/T/Si.退火后变为四方BaTiO3/Ti/Si。
许华平辛火平林成鲁江富民殷庆瑞孟繁德
关键词:水热法微观结构钛酸钡
共1页<1>
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